MOSFET的參數(shù)性能是選型的關(guān)鍵，而決定其性能的是關(guān)鍵工藝參數(shù)調(diào)控。作為國家級高新技術(shù)企業(yè)，合科泰深入平面與溝槽等工藝的協(xié)同，致力于在氧化層厚度、溝道長度和摻雜濃度等核心參數(shù)上突破。如今，合科泰的MOS管被廣泛地應用在汽車電子、消費電子當中。

氧化層厚度

氧化層厚度直接影響MOS管的閾值電壓。氧化層越薄，閾值電壓越低，呈正相關(guān)；而隨之而來的，是器件的導通電阻越小，開關(guān)速度越快。同時，也會帶來柵極漏電流增大、可靠性降低等一些問題。在平面工藝中，合科泰通過化學氣相沉積技術(shù)，把氧化層厚度控制在12-15nm（如HKTD4N65），確保高耐壓下的長期穩(wěn)定性；采用超薄氧化層設計的溝槽工藝大幅降低了導通電阻，以此滿足了高頻開關(guān)電源的嚴苛能效要求。

溝道長度

溝道長度是決定開關(guān)速度的關(guān)鍵參數(shù)。溝道長度過小的短溝道效應，會導致器件的漏電多、擊穿電壓低，同時還會導致制造難度及成本增加。因此需要在性能和成本之間控制權(quán)衡。合科泰引入ASM全自動光刻設備，結(jié)合SGT工藝和深溝槽刻蝕技術(shù)，在先進光刻技術(shù)和工藝的加持下，可以盡可能地縮小短溝道效應影響。

摻雜濃度

摻雜濃度調(diào)控可以改變載流子的濃度和遷移率，進而精確地調(diào)整導通電阻、擊穿電壓等性能參數(shù)，這是MOS管性能定制化的核心原理。超結(jié)工藝通過多層外延與深槽填充技術(shù)，實現(xiàn)較傳統(tǒng)平面MOS管能效提升50%。如果在高壓MOS管中，提高漏極區(qū)域的摻雜濃度，就可以增加擊穿電壓；要是在低導通電阻的MOS管中，提高溝道區(qū)域的摻雜濃度，就可以降低導通電阻。

仿真技術(shù)

在實際制作MOS管之前，使用仿真技術(shù)可以對進行性能的模擬和預測。仿真技術(shù)模擬的過程可以縮短研發(fā)的周期，還可以降低成本和發(fā)現(xiàn)潛在的問題。除了仿真技術(shù)外，合科泰等廠商還會利用X-RAY檢測機和超聲波掃描機獲取精準物理參數(shù)。

結(jié)語

MOS管工藝參數(shù)的深入了解，促使合科泰生產(chǎn)出可定制、高可靠的MOS關(guān)產(chǎn)品。合科泰搭建全流程質(zhì)量控制，獲取的ISO9001、ISO14001和IATF16949質(zhì)量體系認證，幫助合科泰MOSFET產(chǎn)品形成多種類、多層次、多種應用領(lǐng)域的完整布局，MOSFET涵蓋從低壓到高壓、從消費電子到工業(yè)級應用，提供兼具可靠性與成本優(yōu)勢的解決方案。