在各類電源、電機驅動及控制電路中，MDD辰達半導體 MOSFET 是最常見的功率器件之一。由于其工作頻率高、電流大、溫升快，一旦出現故障，往往會造成系統停機甚至連帶燒毀其他元件。作為MDD FAE，如何快速定位問題、判斷失效類型并指導客戶恢復，是關鍵技能。

一、常見故障類型分類

在實際應用中，MOSFET 的典型失效類型包括：

短路失效（D-S導通）：漏源極間電阻近似為零，多由過壓擊穿或熱失控導致；

開路失效：器件內部焊線斷裂或硅片燒蝕，無法導通；

漏電/性能退化：靜態漏電流升高，開關損耗增加；

柵極損傷：EAS 或 ESD 造成柵氧層擊穿，導致柵極驅動異常；

熱擊穿或封裝炭化：散熱不良或PCB銅箔脫焊導致。

二、快速定位思路

1、初步判斷（不帶電測）

使用萬用表電阻檔（或二極管檔）快速排查：

測量 D-S間電阻：

若 <10Ω，基本確定短路。

若 >1MΩ 且無導通跡象，可能開路或柵極失效。

測量 G-S間電阻：

應在數百kΩ以上；若幾Ω或幾十Ω，則為柵極擊穿。

測量 D-G間：若存在導通或低阻，也可能為內部氧化層破壞。

這一步可在幾分鐘內初步判斷 MOS 是否損壞。

2、通電動態驗證

若外觀及靜態測試無異常，可進入動態測試。

用示波器監測 柵極驅動波形：應為方波，幅度應≥10V（N溝MOS）；若波形失真或幅值不足，需檢查驅動芯片。

監測 D-S波形與電流波形：若開通/關斷時間延長、波形拖尾明顯，說明MOS內部特性退化或結溫偏高。

3、溫升與短時應力驗證

使用紅外熱像儀或點溫儀觀測溫度分布；

若單顆MOS溫升明顯高于其他并聯器件（>10°C差異），說明內部R_DS(on) 異常或焊接不良；

對高頻應用，觀察波形是否存在過沖、振鈴等跡象。

三、故障原因分析與修復建議

四、FAE快速診斷技巧

判斷優先級：

先電阻測量，再通電波形，再熱像驗證；

切勿帶電亂測，避免二次擊穿。

記錄對比數據：

與正常通道MOS對比電壓、波形、溫度差異，可快速縮小范圍。

關注外部驅動與供電：

很多MOS失效并非器件問題，而是驅動欠壓、反相電感、接地干擾造成。

MDD MOSFET 故障診斷的關鍵在于——

“靜態判定準、動態驗證快、系統思維全。”

FAE在支持客戶時，通常可通過簡單的萬用表和示波器，在10分鐘內判斷出故障類型。后續應結合應用場景，提出散熱、驅動、布局等預防性優化，避免重復損壞。