杰盛微LM317L系列 100mA 可調式三端正電壓穩壓器
在電子設備的 “心臟” 部位，總有一顆默默守護的芯片 —— 穩壓器。作為深耕半導體領域的國家級高新技術企業，杰盛微半導體（JSMSEMI）始終以 “精準供電，穩定護航” 為使命，今天我們要向大家隆重介紹自主研發的明星產品：LM317L 系列 100mA 可調式三端正電壓穩壓器。這款凝聚著杰盛微核心技術的產品，憑借 1.25V~37V 寬電壓調節范圍、1% 高精度輸出及三重保護機制，已成為消費電子、網絡通信、工業控制等領域的可靠之選。
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二極管的反向恢復時間：原理、影響及合科泰解決方案
在開關電源、高頻整流和逆變器等電路中，二極管的反向恢復時間直接關系到系統效率、EMI表現甚至可靠性。合科泰通過芯片設計與工藝創新，為市場提供了反向恢復時間性能優異的二極管產品。那么，什么是二極管的反向恢復時間？它會產生哪些影響？合科泰又是如何應對這一問題的呢？2025-09-17 543 -
高壓二極管應用中，是否有足夠銅箔/散熱片，結溫是否接近極限？
在半導體器件的可靠性設計中，溫度始終是一個繞不開的話題。無論是功率二極管、TVS 管還是高壓二極管，其壽命與結溫（Tj）有著直接關系。客戶常常會問：我的電路中參數都選對了，為什么二極管仍然失效？作為 MDD辰達半導體 FAE，我們往往會追溯到一個核心問題——是否有足夠銅箔/散熱片支撐散熱，器件結溫是否已經接近極限。2025-09-17 578 -
RY2201 Cell Li-ion and Li-poly Battery Protection IC
The RY2201 is a high integration solution for lithium-ion/polymer battery protection. RY2201 contains internal power MOSFET, high-accuracy voltage detection circuits and delay circuits. RY2201 has all the protection functions required in the battery application including overcharging, over discharging, overcurrent and load short circuiting protection etc. The accurate overcharging detection voltage ensures safe and full utilization charging.2025-09-17 419 -
深愛半導體全新推出600V IPM：多領域高效能源轉換核心深愛半導體全新推出600V IPM：多領域高效能源轉換核心深愛半導體全新推出600V IPM：多領域高效能源轉換核心
深愛半導體最新推出的SICXXN60CDR系列600V三相智能功率模塊（IPM），是我們面向中高功率能源轉換市場的重要戰略產品。該系列產品秉承深愛在功率半導體領域的技術優勢，并在集成度、可靠性、熱管理及系統保護等維度實現了全面突破，充分體現了我們對市場趨勢和客戶需求的深刻洞察。該系列的推出，標志著深愛半導體在智能功率模塊領域的又一次重要進步，將進一步鞏固我們在功率半導體市場的技術領先地位和品牌影響力。我們將始終以客戶需求為核心，持續推動產品與技術創新，為全球客戶提供更高效、更可靠的能源轉換解決方案。2025-09-17 1030 -
NP3401 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
The NP3401MR uses advanced trench technologyto provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications.2025-09-17 361 -
NP4407SR 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
The NP4407 uses advanced trench technologyand design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in load switch and batteryprotection applications.2025-09-17 354 -
NP8205MR 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
The NP8205MR-S uses advanced trenchtechnology to provide excellent RDS(ON), low gatecharge and operation with gate voltages as low as2.5V. This device is suitable for use as a Batteryprotection or in other Switching application2025-09-17 361
