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做電力電子設(shè)計(jì)的工程師，多半繞不開(kāi) IR2110 這款經(jīng)典柵極驅(qū)動(dòng)芯片。從車(chē)間里的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，到機(jī)房里的開(kāi)關(guān)電源，它曾是無(wú)數(shù)項(xiàng)目的 “標(biāo)配選擇”。但最近兩年，越來(lái)越多工程師吐槽：“IR2110 撐不住新需求了！” 高壓場(chǎng)景扛不住、驅(qū)動(dòng)能力不夠用、PCB 布局占空間…… 這些痛點(diǎn)，如今終于有了完美解決方案 —— 杰盛微自主研發(fā)的JSM2110STR，不僅能無(wú)縫替代 IR2110，更在核心性能上實(shí)現(xiàn) “降維打擊”。今天就帶大家拆解這款 “升級(jí)款驅(qū)動(dòng)芯片”，看看它到底能解決多少工程難題。

在高壓驅(qū)動(dòng)芯片領(lǐng)域，IRS2106 曾憑借穩(wěn)定的性能成為工程師選型清單中的 “?？汀?。但隨著電力電子設(shè)備對(duì)耐壓、抗干擾、效率的要求不斷提升，一款更具競(jìng)爭(zhēng)力的替代產(chǎn)品逐漸走進(jìn)大眾視野 —— 杰盛微自主研發(fā)的 JSM2106STR。這款 700V 單相高低側(cè)同相柵極驅(qū)動(dòng)芯片，不僅完美兼容 IRS2106 的應(yīng)用場(chǎng)景，更在關(guān)鍵性能指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)突破，為行業(yè)帶來(lái)更優(yōu)的驅(qū)動(dòng)解決方案。

在電子科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，驅(qū)動(dòng)芯片作為電子設(shè)備中的關(guān)鍵組件，其性能優(yōu)劣直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率與穩(wěn)定性。一直以來(lái)，IRS2104 憑借其出色的性能在高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域占據(jù)著重要地位。然而，今天我們要為大家?guī)?lái)一個(gè)令人振奮的消息：杰盛微半導(dǎo)體推出的 JSM2104STR，以其卓越的性能和高性?xún)r(jià)比，成為了 IRS2104 的有力替代者，為廣大工程師和電子設(shè)備制造商提供了更優(yōu)的選擇。

在電子工程領(lǐng)域，VBUS開(kāi)關(guān)的性能對(duì)于電子設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行至關(guān)重要。很多中層管理者在實(shí)際工作中，常常會(huì)遇到VBUS開(kāi)關(guān)方面的各種問(wèn)題，今天就來(lái)和大家深入探討這些問(wèn)題，并介紹一款能有效解決問(wèn)題的產(chǎn)品——HKTQ30P03P溝道MOSFET。

NS4111 是一款 10W 單聲道 AB/D 類(lèi)切換音頻功率放大器，支持差分輸入，超低 EMI，無(wú)需濾波器?？赏ㄟ^(guò)不同電平控制芯片的工作模式：CTRL 腳電壓為 2.0V-5.0V，芯片進(jìn)入 D 類(lèi)工作模式，0.9-1.5V 時(shí)芯片進(jìn)入 AB 類(lèi)工作模式，0.4V 以下時(shí)芯片關(guān)斷，應(yīng)用靈活方便。NS4111 采用先進(jìn)的技術(shù)，在全帶寬范圍內(nèi)極大地降低了 EMI 干擾，最大限度地減少了對(duì)其他外部元件的影響。其輸出無(wú)需濾波器的PWM 調(diào)制結(jié)構(gòu)減少了外部元件、PCB 面積和系統(tǒng)成本。NS4111 在 9V 的工作電壓時(shí)，能夠向 4?負(fù)載提供高達(dá) 10W 的輸出功率，90%以上的效率更加適合便攜式音頻系統(tǒng)。 NS4111 內(nèi)置過(guò)流保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)及欠壓保護(hù)功能，有效保護(hù)芯片在異常工作狀況下不被損壞。 NS4111 提供 eSOP-8 封裝，額定的工作溫度范圍為-40℃至 85℃。

NS4165B 是一款 AB/D 類(lèi)工作模式可切換，高效率的單聲道音頻功放。AB/D 類(lèi)工作模式可通過(guò)一個(gè)控制管腳高低電平切換，以匹配不同的應(yīng)用環(huán)境。即使在 D 類(lèi)工作模式下，NS4165B 采用先進(jìn)的技術(shù)，在全帶寬范圍內(nèi)極大地降低了 EMI 干擾，最大限度地減少對(duì)其他部件的影響。其輸出無(wú)需濾波器的PWM 調(diào)制結(jié)構(gòu)及反饋電阻內(nèi)置方式減少了外部元件、PCB 面積和系統(tǒng)成本。 NS4165B 在 5V 的工作電壓時(shí)，能夠向 2?負(fù)載提供高達(dá) 5.4W 的輸出功率。 NS4165B 內(nèi)置過(guò)熱保護(hù)功能，有效地保護(hù)芯片在異常工作狀況下不被損壞。NS4165B 提供 eSOP8封裝，額定的工作溫度范圍為-40℃至 85℃。

P5200是一款開(kāi)關(guān)升壓型雙串8.4V鋰電池充電管理芯片。其ESOP8的封裝以及簡(jiǎn)單的外圍電路，使得TP5200非常適用于便攜式設(shè)備的大電流充電管理應(yīng)用。 TP5200對(duì)電池充電分為涓流預(yù)充、恒流、恒壓三個(gè)階段，恒流充電電流可通過(guò)外部電阻調(diào)整。TP5200內(nèi)置功率PMOSFET，同步外置NMOS管，同步開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)使其具有極少的外圍器件，有效減少方案尺寸，降低BOM成本。

全球智能家居清潔機(jī)器人市場(chǎng)正以33%的同比增速爆發(fā)式增長(zhǎng)，而谷歌等科技巨頭加速AI眼鏡研發(fā)的消息，更凸顯開(kāi)源硬件創(chuàng)新的黃金時(shí)代已然到來(lái)。然而創(chuàng)客們卻面臨“進(jìn)口器件交期長(zhǎng)（3-6個(gè)月）、高頻損耗高、散熱設(shè)計(jì)復(fù)雜”的三重困境。成立于1992年的合科泰電子，以中低壓/車(chē)規(guī)級(jí)MOS管的低導(dǎo)通電阻、小封裝尺寸、高散熱效率三大優(yōu)勢(shì)，正成為這場(chǎng)“動(dòng)力革命”的關(guān)鍵推動(dòng)者。

在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的靜電二極管 是最常用的接口防護(hù)器件。許多工程師在選型時(shí)，往往會(huì)首先關(guān)注器件的 ESD 等級(jí)，例如標(biāo)稱(chēng)可承受 ±8kV 接觸放電或 ±15kV 空氣放電。似乎只要電壓等級(jí)夠高，器件就能滿(mǎn)足應(yīng)用需求。然而，實(shí)際項(xiàng)目中我們經(jīng)常發(fā)現(xiàn)：即使標(biāo)稱(chēng)等級(jí)很高的 ESD 管，在實(shí)際應(yīng)用中仍可能失效，導(dǎo)致接口芯片損壞。這說(shuō)明，僅僅依賴(lài)“靜電電壓等級(jí)”來(lái)選型是不夠的。

NS4168 是一款支持 I2S 數(shù)字音頻信號(hào)輸入且輸出具有防失真功能的單聲道 D 類(lèi)音頻功率放大器。內(nèi)置有數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）和多級(jí) D 類(lèi)調(diào)制器，具備出色的音頻性能。利用 NS4168 的 I2S 數(shù)字音頻串行接口傳送至放大器，可以顯著降低噪聲源對(duì)所傳輸音頻的影響。另外還避免了 MCU 主控芯片內(nèi)置音頻解碼 DAC 所帶來(lái)的噪聲，最終獲得較高的信噪比以及較小失真度。其閉環(huán)數(shù)字輸入設(shè)計(jì)保留了數(shù)字 放大器的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)又具有極佳的 PSRR 和音頻性能。與其它 D 類(lèi)架構(gòu)相比，采用擴(kuò)頻脈沖密度調(diào)制可實(shí)現(xiàn)較低的 EMI 干擾和最高的音頻效率。 NS4168 采用獨(dú)特的防失真功能可以有效防止輸入信號(hào)過(guò)載、電池電壓下降導(dǎo)致的輸出信號(hào)失真，同時(shí)可以有效保護(hù)在大功率輸出時(shí)揚(yáng)聲器不被損壞。 NS4168 為單聲道音頻功放。左右聲道選擇通過(guò)CTRL 管腳電平可以設(shè)置。立體聲產(chǎn)品可選用兩個(gè)芯片，非常靈活。NS4168 內(nèi)置過(guò)流保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)及欠壓保護(hù)功能，有效地保護(hù)芯片在異常工作狀況下不被損壞。