GBJ2510_GBJ_整流橋_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：GBJ 類別：整流橋 最小包裝：250盒 參數(shù)1：正向壓降(Vf): 1.05V@12.5A 參數(shù)2：直流反向耐壓(Vr): 1kV 參數(shù)3：平均整流電流(Io): 25A 參數(shù)4：正向浪涌電流(Ifsm): 350A 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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描述: 此款GBJ封裝整流橋器件，針對高功率、大電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計。擁有高達(dá)1000V的反向電壓額定值（VR），確保在高壓條件下穩(wěn)定可靠工作。其亮點(diǎn)在于，在12.5A連續(xù)電流下，正向壓降VF低至1.05V，有助于提高電源轉(zhuǎn)換效率并降低能耗。此外，該器件具備強(qiáng)大的電流處理能力，最大連續(xù)輸出電流可達(dá)25A（IO），適應(yīng)各類嚴(yán)苛的應(yīng)用環(huán)境。這款整流橋是高性能、高穩(wěn)定性電路設(shè)計的理想選擇，助力您實(shí)現(xiàn)高效、安全的大電流電源轉(zhuǎn)換。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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