如何通過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)試驗(yàn)證整流二極管在極端環(huán)境下的可靠性？
為確保整流二極管在高溫、高濕、振動(dòng)、沖擊等極端環(huán)境下的可靠性，需通過(guò)一系列標(biāo)準(zhǔn)化實(shí)驗(yàn)測(cè)試進(jìn)行驗(yàn)證。結(jié)合國(guó)際測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與工程實(shí)踐，系統(tǒng)介紹測(cè)試方法及實(shí)施要點(diǎn)作為分享。
深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司
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在高溫或高振動(dòng)環(huán)境下，整流二極管的降額曲線應(yīng)該如何調(diào)整？
在高溫或高振動(dòng)環(huán)境下，整流二極管的降額曲線需結(jié)合熱力學(xué)和機(jī)械應(yīng)力進(jìn)行綜合調(diào)整，以確保長(zhǎng)期可靠性。 -
MDD肖特基整流橋失效模式解析：溫升、漏電與擊穿的工程應(yīng)對(duì)
MDD肖特基整流橋因其低正向壓降、高速開(kāi)關(guān)特性和良好的導(dǎo)通能力，廣泛應(yīng)用于電源適配器、LED驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車(chē)載電源等中低壓、高頻整流場(chǎng)合。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師常常會(huì)遇到肖特基整流橋失效的問(wèn)題，如溫升過(guò)高、反向漏電流異常、器件擊穿等。本文將系統(tǒng)解析肖特基整流橋的三大典型失效模式及其背后的機(jī)理，并提出具體的設(shè)計(jì)與使用建議，助力提升電路的穩(wěn)定性與可靠性。 -
MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比：中低壓功率系統(tǒng)的權(quán)衡
在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)分析MOSFET與IGBT的選擇對(duì)比，特別是在中低壓功率系統(tǒng)中的權(quán)衡。 -
淺談辰達(dá)MOSFET在USB PD快充電源中的應(yīng)用挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)
在USB PD快充電源設(shè)計(jì)中，MOSFET作為功率控制與轉(zhuǎn)換的核心器件，發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著充電功率向65W、100W甚至更高邁進(jìn)，對(duì)MOSFET的性能提出了更嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。本文將從應(yīng)用挑戰(zhàn)出發(fā)，結(jié)合FAE工程實(shí)踐，分析MOSFET在USB PD快充中的關(guān)鍵設(shè)計(jì)要求與應(yīng)對(duì)策略。 -
同步整流MOSFET的設(shè)計(jì)要點(diǎn)與效率提升技巧
在現(xiàn)代高效率電源系統(tǒng)中，同步整流技術(shù)已成為主流選擇，尤其是在DC-DC變換器、USB快充適配器、服務(wù)器電源和車(chē)載電源等場(chǎng)景中。同步整流相比傳統(tǒng)的肖特基二極管整流，能夠顯著降低導(dǎo)通損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。其核心器件——MOSFET，在設(shè)計(jì)中扮演著至關(guān)重要的角色。本文將深入探討同步整流MOSFET的選型要點(diǎn)和提升效率的設(shè)計(jì)技巧。 -
辰達(dá)MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用與優(yōu)化策略
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是電力電子領(lǐng)域不可或缺的開(kāi)關(guān)元件，尤其在DC-DC變換器（直流-直流電壓變換器）中扮演著至關(guān)重要的角色。隨著電子設(shè)備功率需求的增加，DC-DC變換器被廣泛應(yīng)用于各種電源系統(tǒng)中，如開(kāi)關(guān)電源、電池充電器、LED驅(qū)動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)等。MOSFET的性能直接決定了DC-DC變換器的效率、熱管理和響應(yīng)速度，因此，理解MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用，并掌握優(yōu)化策略，是設(shè)計(jì)高效電源系統(tǒng)的關(guān)鍵...... -
從開(kāi)關(guān)速度看MOSFET在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)
MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）因其開(kāi)關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低、控制特性優(yōu)越，已廣泛應(yīng)用于高頻電子電路，如開(kāi)關(guān)電源、無(wú)線通信、高頻逆變器等系統(tǒng)。隨著電路工作頻率的不斷提升，MOSFET的開(kāi)關(guān)性能愈加重要，特別是在高頻應(yīng)用中，MOSFET的開(kāi)關(guān)速度直接影響系統(tǒng)的效率、熱管理和穩(wěn)定性。本文將從開(kāi)關(guān)速度的角度出發(fā)，分析MOSFET在高頻應(yīng)用中的性能表現(xiàn)及其對(duì)系統(tǒng)的影響。 -
MDD快恢復(fù)整流器失效模式詳解：過(guò)熱、浪涌與封裝問(wèn)題一網(wǎng)打盡
在高頻開(kāi)關(guān)電源、電焊機(jī)、電動(dòng)工具和PFC電路中，MDD快恢復(fù)整流器因其恢復(fù)時(shí)間短、反向恢復(fù)電荷小的特性，成為工程師優(yōu)先考慮的整流器件。然而，快恢復(fù)整流器并非“無(wú)懈可擊”，在實(shí)際應(yīng)用中仍然存在諸如過(guò)熱失效、浪涌損傷及封裝老化等風(fēng)險(xiǎn)。本文將深入解析快恢復(fù)整流器的主要失效模式，并提供工程應(yīng)對(duì)策略。 -
快恢復(fù)整流器在電動(dòng)車(chē)控制器中的典型應(yīng)用與熱管理策略
在電動(dòng)車(chē)控制器中，功率器件的穩(wěn)定性與效率直接影響整車(chē)的性能與可靠性。其中，快恢復(fù)整流器因其反向恢復(fù)時(shí)間短、切換損耗低等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于PFC（功率因數(shù)校正）、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等環(huán)節(jié)。本文將聚焦快恢復(fù)整流器在電動(dòng)車(chē)控制器中的典型應(yīng)用，并探討其熱管理策略。 -
并聯(lián)與串聯(lián)設(shè)計(jì)中的MDD快恢復(fù)整流器：均流與耐壓怎么搞？
MDD快恢復(fù)整流器因其極短的反向恢復(fù)時(shí)間和較小的反向恢復(fù)電流，被廣泛應(yīng)用于PFC電路、開(kāi)關(guān)電源、逆變器和新能源汽車(chē)電控系統(tǒng)中。在某些特殊應(yīng)用場(chǎng)景中，為了滿足更高的電流輸出能力或更高的耐壓要求，工程師會(huì)考慮將快恢復(fù)整流器進(jìn)行并聯(lián)或串聯(lián)設(shè)計(jì)。但看似簡(jiǎn)單的“疊加”，實(shí)際涉及一系列電氣與熱學(xué)挑戰(zhàn)，尤其是均流與均壓控制問(wèn)題。本文將深入剖析快恢復(fù)整流器在并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用中的關(guān)鍵設(shè)計(jì)技巧與注意事項(xiàng)。 -
高頻高效的關(guān)鍵：MDD快恢復(fù)整流器在開(kāi)關(guān)電源中的核心作用
在現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)中，開(kāi)關(guān)電源（SMPS）因其體積小、效率高、適應(yīng)性強(qiáng)，廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動(dòng)工具及新能源汽車(chē)等領(lǐng)域。而實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高可靠性的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)，除了依賴(lài)于拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與主控芯片的優(yōu)化外，功率器件的性能同樣起著決定性作用。其中，MDD快恢復(fù)整流器作為關(guān)鍵續(xù)流與整流元件，在系統(tǒng)效率、EMI控制與熱管理中扮演了不可或缺的角色。本文將系統(tǒng)闡述快恢復(fù)整流器在開(kāi)關(guān)電源中的核心作用及其工程實(shí)現(xiàn)價(jià)值。