從過去一段時(shí)間的報(bào)道來看，臺(tái)積電（TSMC）在3nm和2nm工藝的開發(fā)上取得了不錯(cuò)的進(jìn)展。此前臺(tái)積電總裁魏哲家證實(shí)，N2制程節(jié)點(diǎn)將如預(yù)期那樣使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，制造的過程仍依賴于極紫外（EUV）光刻技術(shù)，預(yù)計(jì)2024年末將做好風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)的準(zhǔn)備，并在2025年末進(jìn)入大批量生產(chǎn)。

隨著2nm工藝在開發(fā)上取得突破，臺(tái)積電已開始考慮推進(jìn)下一個(gè)制程節(jié)點(diǎn)了，傳聞可能會(huì)在6月份舉辦的技術(shù)研討會(huì)上正式宣布1.4nm級(jí)別的技術(shù)，屆時(shí)可能會(huì)公布一些技術(shù)細(xì)節(jié)。據(jù)Business Korea報(bào)道，臺(tái)積電打算在6月份將其N3制程節(jié)點(diǎn)的團(tuán)隊(duì)做重新分配，以組建1.4nm級(jí)制造工藝的研發(fā)隊(duì)伍。

暫時(shí)還不清楚英特爾和三星將采用哪一款工藝與臺(tái)積電的1.4nm級(jí)工藝對(duì)標(biāo)，按照英特爾去年公布的制程工藝的技術(shù)路線圖，目前僅安排到Intel 18A（1.8nm級(jí)別）。英特爾計(jì)劃在Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)將引入RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術(shù)。近期還誓言在2024年末將推出對(duì)RibbonFET改進(jìn)后的Intel 18A（1.8nm級(jí)別），搶先于臺(tái)積電的2nm工藝，以取得每瓦性能的領(lǐng)先。

不少業(yè)內(nèi)人士對(duì)晶圓代工廠的制造工藝計(jì)劃抱有懷疑的態(tài)度，擔(dān)憂研發(fā)上會(huì)遇到更多不可預(yù)知的障礙，從而導(dǎo)致量產(chǎn)時(shí)間延后，或者良品率不如人意。隨著芯片的尺寸變得越來越小，工藝技術(shù)的壁壘越來越高，電路必須繪制得更精確，同時(shí)在生產(chǎn)管理上也變得越來越困難。