眾所周知，近日ASML更新了出口說明，表示荷蘭政府對DUV光刻機(jī)的出口也進(jìn)行了限制，ASML理解為TWINSCAN NXT：2000i及之后的浸沒式光刻機(jī)，已經(jīng)不能出口到中國了。

這意味著，ASML目前在售的三款浸潤式光刻機(jī)中，只有TWINSCAN NXT：1980i一款能夠賣到中國來。

這則消息一出來，很多網(wǎng)友表示，國產(chǎn)光刻機(jī)必須加油了，如果后續(xù)禁令再收緊，連這一臺浸潤式光刻機(jī)都不能出口的話，問題就大了，中國芯就真的麻煩了。

事實(shí)上，芯片產(chǎn)業(yè)太龐大了，產(chǎn)業(yè)鏈非常復(fù)雜，各種設(shè)備、技術(shù)、材料又非常多，除了光刻機(jī)，中國芯還有很多難題，這些難題一直卡著我們的脖子，要想真正打造全國產(chǎn)供應(yīng)鏈，還要達(dá)到先進(jìn)水平，這些難題必須一一解決才行。

首先是被譽(yù)為“芯片之母”的EDA領(lǐng)域，國產(chǎn)方面仍然受制于人。

近日概倫電子表示已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了對7/5/3nm工藝的支持，而之前華大九天也表示支持3nm了，這讓網(wǎng)友們興奮不已。但其實(shí)EDA的流程太多了，已經(jīng)是集芯片設(shè)計、綜合驗(yàn)證、物理設(shè)計、仿真、測試等等環(huán)節(jié)于一體了。

目前不管是華大九天，還是概倫只在部分環(huán)節(jié)或流程中實(shí)現(xiàn)了3nm，甚至很多流程，國內(nèi)就沒有相關(guān)的EDA產(chǎn)品，必須依賴國外。

從2021年的數(shù)據(jù)來看，三大EDA公司新思科技（Synopsys）、楷登電子（Cadence）、和西門子EDA，壟斷了國內(nèi)90%左右的市場。

目前芯片太復(fù)雜了，離不開EDA，所以EDA其實(shí)是卡脖子的技術(shù)之一，我們必須要突破，否則不排除后續(xù)針對EDA的禁令也會加碼和擴(kuò)大。

其次是半導(dǎo)體設(shè)備這一塊，不只是光刻機(jī)，還有眾多的設(shè)備，也是國內(nèi)的短板。

半導(dǎo)體設(shè)備大致可以分為11大類，50多種機(jī)型，其核心有光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積機(jī)、離子注入機(jī)、CMP設(shè)備、清洗機(jī)、前道檢測設(shè)備和氧化退火設(shè)備八大類。

目前在光刻機(jī)、自動測試設(shè)備、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等核心設(shè)備上，我們的工藝相對落后，光刻機(jī)90nm，其它產(chǎn)品有些在65nm、有些在40nm……

這些核心設(shè)備長期由海外龍頭壟斷，國內(nèi)的份額大多低于5%，并且這5%，基本上是非常低檔的產(chǎn)品，無法對國外先進(jìn)設(shè)備進(jìn)行替代，這也是后續(xù)需要攻克的難題。

最后說說半導(dǎo)體材料這一塊，芯片制造需要各種各樣的材料，涉及到幾十種。

其中比較關(guān)鍵的，大家都熟悉的有光刻膠、拋光液、靶材、特種氣體等，在后端封裝階段需要各種基板、中介層、引線框架、粘接材料等。

光刻膠大家都清楚，國內(nèi)還處于65nm的水平，很多的靶材、特種氣體，其實(shí)國內(nèi)就沒有，要從國外進(jìn)口，從2021年的數(shù)據(jù)來看，國內(nèi)半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化率僅約10%左右。

而日本壟斷了全球近70%的半導(dǎo)體材料，而日本也是聽美國的，這個風(fēng)險大家都懂的。

可見，中國芯要崛起，差的不只是光刻機(jī)，大家也不必只盯著光刻機(jī)，要補(bǔ)的課實(shí)在太多了，而這些課后背，其實(shí)是基礎(chǔ)不扎實(shí)，比如物理學(xué)、化學(xué)、材料學(xué)、力學(xué)、數(shù)學(xué)等等。

好在目前眾多的企業(yè)，已經(jīng)深刻的認(rèn)識到這一點(diǎn)，比如任正非就表示造芯片不能只砸錢，要砸物理學(xué)家，數(shù)字學(xué)，化學(xué)家等。

當(dāng)然，最后值得說一說的是，盡管中國芯目前面臨眾多的困難，但從EDA到設(shè)備到材料的國產(chǎn)化比例也一直在提升，前進(jìn)的腳步一直不停。