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SSD要進入PB級時代?或將在未來十年內的某個時候實現

2023-05-23 來源:全球半導體觀察
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關鍵詞: SSD 三星電子 芯片

得益于固態存儲的性能優勢,SSD(固態硬盤)應用十分廣泛。除了生活中常見的筆記本電腦外,SSD還應用于車載、工控、視頻監控、網絡監控、網絡終端、電力、醫療、航空、導航設備等領域。


目前,消費級SSD常見容量包括256GB、512GB、1TB、2TB、4TB這幾種,企業級SSD容量則更大一些,可達16TB、32TB、64TB、甚至128TB。

這并不是SSD容量的“天花板”,未來存儲廠商還將讓SSD容量突破300TB,甚至達到1024TB。


SSD狂飆:未來十年單顆容量可達1PB

近日,三星電子對外表示,預計在未來十年單顆SSD的容量可達1PB(1024TB)。


三星表示物理縮放技術、邏輯縮放技術和封裝技術的日益成熟,加速推動 3D NAND 的發展,預計未來十年單顆 SSD 容量可高達 1PB。

三星表示新技術將進一步減少 NAND 閃存單元尺寸、增加層數,讓每一層能夠存儲更多數據。

三星在過去幾年推動 SSD 技術的落地,2016 年率先量產 15.36TB 的 SSD;在 2017 年又推出基于 3D TLC 的 30.72TB 產品。

三星還在 2019 年展示了 64TB SSD,然后在 2021 年展示了基于 3D QLC NAND 的 128TB 原型 SSD,但這些設備尚未進入量產階段。

其中,物理縮放技術包括三種技術,分別為橫向/垂直收縮(一種減少每個存儲單元大小的方法)、垂直堆疊技術(一種添加更多WL堆棧的方法,從而增加內存單元的數量)、電池在外圍技術(一種減少硅面積的方法,把外圍電路放在存儲單元下面),用于提高性能和降低成本,以響應應用程序和系統處理需求的變化。

邏輯縮放技術,例如QLC技術——涉及到尋找在單個單元中存儲更多比特的方法,以便SSD可以保存更多的數據,同時保持輕便和緊湊。QLC技術可以使每個設備每個單元存儲4位,相比TLC存儲密度提高33%。

封裝技術是開發高容量產品的關鍵,三星已經有能力批量生產32Die堆疊封裝(32 die-stack packaging)。

無獨有偶,另一家存儲相關廠商Pure Storage也在積極探索更高容量SSD。今年3月初,該公司表示,到2025-2026年,公司將推出300TB NVMe SSD。他們計劃使用定制的SSD主控搭配3D NAND閃存,用于FlashArray系統,并在定制的FlashBlade操作系統上運行。



邁向PB級容量,PLC與千層NAND Flash大有可為?

隨著數據中心等新型技術與應用不斷發展,海量存儲需求下,大容量SSD成為發展大勢。業界預測,本世紀30年代時,PLC閃存與千層堆疊可能會成為PB級SSD的主流之選,閃存顆粒與堆疊技術重要性將進一步凸顯。


閃存顆粒

SSD由主控芯片、閃存顆粒與緩存顆粒組成,閃存顆粒在SSD中負責存儲數據,占據了SSD 70%-80%的成本,并對SSD性能有決定性影響。可以說,要實現SSD更強的性能、更大的容量,閃存顆粒是關鍵。

當前SSD閃存顆粒主要是NAND Flash,根據電子單元密度的差異,NAND Flash可分為SLC、MLC、TLC、QLC、PLC,這五種閃存顆粒每單元可存儲的信息是層層遞進的,以主流TLC為例,其又可被稱作三層式存儲,成本低,質量、讀寫速度以及壽命可以滿足普通消費者需求,因而被廣泛應用于SSD市場。

TLC之后是QLC——四層式存儲,具有存儲密度大、成本低的優勢,三星128TB原型SSD就是基于QLC打造。

相比TLC,PLC在相同的空間內帶動SSD容量的進一步擴大。去年8月,Solidigm展示了全球首款正在研發的PLC SSD,其表示,在相同的空間內,使用PLC SSD存儲數據量可增加25%,可以用來解決固態存儲未來的成本、空間和能耗等問題。該款SSD將首先用于數據中心產品,具體發布和上市時間待定。

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC,NAND Flash容量逐步提升,因此,部分業界人士看好PLC在PB級SSD中的應用。不過,從SLC到PLC,容量雖然提升,但性能、可靠性、壽命并未隨之優化,PLC SSD的商用落地,仍需要解決上述問題。


閃存堆疊

閃存堆疊技術對SSD容量同樣也至關重要,3D NAND Flash的出現,比以往的2D NAND Flash提供了更大存儲空間,滿足了業界日益增長的存儲需求,因而成為主流。

目前3D NAND Flash已經突破200層,大廠方面,三星第8代V-NAND層數達到了236層,采用TLC閃存;美光232層NAND Flash已經量產出貨;鎧俠和西部數據近期宣布,推出218層3D NAND閃存。

此外,SK海力士238層NAND Flash計劃于今年上半年量產,該公司采用的是4D架構方式。

未來存儲廠商將持續發力更高層數NAND Flash,美光232層之后,計劃推出2YY、3XX與4XX等更高層數產品;鎧俠與西數兩家公司2032年之前還將陸續推出200層以上、300層以上、400層以上與500層以上閃存技術;SK海力士在近期的ISSCC會議上,展示了300層堆疊第八代3D NAND Flash存儲器原型,計劃兩年內上市;三星則計劃在2030年前實現1000層NAND Flash,此舉也將助力三星之后推出1PB SSD。

3D NAND Flash層數堆疊前景美好,但與PLC一樣,層數不斷提高的過程中,也面臨不少挑戰。比如時間成本,隨著層數的增加,生產時間成本隨之上升;再比如良率問題,層數的增加,對良率也會形成嚴峻的挑戰。


給力的國產廠商

對于我們廣大消費者而言,大家應該也能發現這些年固態硬盤越來越便宜了。過去的內存條,被大家戲稱為“金條”,很多人都表示難以忘記那8GB內存1000塊錢的時代,甚至那時的廠商們經常有“失火”漲價的。可咱們國產廠商比如長江存儲達成技術突破后,將固態硬盤的價格硬生生地打下來了。比如在某多多,致鈦2TB的硬盤400多元就能拿下。相比當時同規格一千多的硬盤,消費者自然是義無反顧地支持國產了。

其實這種事發生也不是一次兩次了,各種家電產品、顯示器、手機……我們都享受到了由國產廠商帶來的物美價廉的產品。就連大家熟知的華為,在通信行業中也被其它海外同行所敵視(因為華為將通信行業各種產品報價向下打了一截)。

所以說,低價的優質國產產品,在一定程度上也倒逼了其它廠商降價售賣商品。



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