據外媒消息，人工智能（AI）芯片帶動先進封裝需求，市場預期AI芯片大廠英偉達（Nvidia）明年將推出新一代制圖芯片架構，加速CoWoS封裝需求。

外資評估，英偉達H100制圖芯片（GPU）模組第4季供應量可到80萬至90萬個，較第3季約50萬個增加，預估明年第1季供應量可到100萬個，主要是CoWoS產能持續提升。

此前廠商動態顯示，CoWoS產能仍短缺，影響包括英偉達在內的大廠AI芯片出貨進度。臺積電在7月下旬法說會指出，CoWoS產能將擴增1倍，供不應求狀況要到2024年底緩解。

臺積電CoWoS晶圓新廠落腳竹科銅鑼園區，業界消息顯示，預計2026年底完成建廠，規劃2027年第2季或第3季量產。觀察臺積電CoWoS擴產進度，業界消息透露，去年臺積電CoWoS先進封裝月產能約1萬片，獨占CoWoS封裝市場，預估今年底CoWoS封裝月產能可提升至1.1萬片至1.2萬片，最快明年第2季臺積電CoWoS封裝月產能可提升至2.2萬片至2.5萬片，明年下半年月產能3萬片目標可期。

目前，對于CoWoS產能配置，外資法人評估，英偉達可從臺積電取得5000至6000片CoWoS晶圓產量，也將從后段專業委外封測代工（OSAT）廠取得2000至3000片CoWoS產量。

臺積電將于本月19日舉行法人說明會，隨著人工智能（AI）芯片持續缺貨帶動先進封裝需求，臺積電在CoWoS擴產進展勢必成為關注焦點。法人評估，臺積電占有大部分CoWoS產能訂單，不過日月光投控、艾克爾、聯電等，也將卡位CoWoS封裝制造。


英偉達為什么看中CoWoS封裝技術？

CoWoS是Chip on Wafer on Substrate的縮寫，是一種先進的芯片封裝技術，它可以將多個不同的芯片（如邏輯芯片和內存芯片）通過一個硅基板（中介層）連接在一起，從而實現芯片之間的高速數據傳輸和高效能運算。CoWoS技術屬于2.5D封裝技術，因為它在二維平面上實現了多個芯片的集成，但又利用了三維堆疊的優勢。

CoWoS技術是臺積電的專利技術，它于2011年首次開發，并在高性能計算（HPC）領域得到了廣泛的應用，如AMD和NVIDIA的GPU。CoWoS技術不僅可以提升芯片的性能和功能，還可以縮短產品的開發周期和降低成本。


CoWoS封裝技術有什么好處？

提升性能：CoWoS技術可以實現芯片之間的高速數據傳輸，提高芯片的運算速度和帶寬，同時降低功耗和熱阻，提升芯片的性能和效率。

增加功能：CoWoS技術可以集成不同種類和不同工藝節點的芯片，實現多種功能的組合和優化，滿足不同應用場景的需求。

縮短周期：CoWoS技術可以在晶圓層級上進行封裝，減少了封裝過程中的步驟和時間，縮短了產品的開發周期和上市時間。

降低成本：CoWoS技術可以利用現有的芯片制造工藝和設備，無需投入額外的資金和資源，降低了產品的制造成本和風險。


臺積電CoWoS封裝產能吃緊

在7月下旬法人說明會，臺積電預估CoWoS產能將擴張1倍，但供不應求情況要到明年底才可緩解。臺積電7月下旬也宣布斥資近新臺幣900億元，在竹科轄下銅鑼科學園區設立先進封裝芯片廠，預計2026年底完成建廠，量產時間落在2027年第2季或第3季。

英偉達首席財務官克芮斯（Colette Kress）在8月24日在線上投資者會議透露，英偉達在CoWoS封裝的關鍵制程，已開發并認證其他供應商產能，預期未來數季供應可逐步爬升，英偉達持續與供應商合作增加產能。

美系外資法人集成AI芯片制造的供應鏈消息指出，CoWoS產能是AI芯片供應產生瓶頸的主要原因，亞系外資法人分析，CoWoS封裝產能吃緊，關鍵原因在中介層供不應求，因為中介層硅穿孔制程復雜，且產能擴展需要更多高精度設備，但交期拉長，既有設備也需要定期清洗檢查，硅穿孔制程時間拉長，因此牽動CoWoS封裝調度。

法人指出，除了臺積電，今年包括聯電和日月光投控旗下硅品精密，也逐步擴展CoWoS產能。

臺廠也積極布局2.5D先進封裝中介層，臺積電在4月下旬北美技術論壇透露，正在開發重布線層（RDL）中介層的CoWoS解決方案，可容納更多高帶寬內存堆棧；聯電在7月下旬說明會也表示，加速展開提供客戶所需的硅中介層技術及產能。

美系外資法人透露，臺積電正將部分硅中介層（CoWoS-S）產能轉移至有機中介層（CoWoS-R），以增加中介層供應。

日月光投控在7月下旬說明會也表示，正與芯片廠合作包括先進封裝中介層組件；IC設計服務廠創意去年7月指出，持續布局中介層布線專利，并支持臺積電的硅中介層及有機中介層技術。


下一代先進封裝技術

據臺媒報道，蘋果正小量試產最新的3D小芯片堆疊技術SoIC（單線集成電路小輪廓封裝），目前規劃采用SoIC搭配InFO的封裝方案，預計用于MacBook，最快2025~2026年推出產品。

SoIC又是什么新技術呢？根據臺積電在第二十四屆年度技術研討會中的說明，SoIC是一種創新的多芯片堆疊技術，是一種晶圓對晶圓（Wafer-on-wafer）的鍵合（Bonding）技術，這是一種3D IC制程技術，可以讓臺積電具備直接為客戶生產3D IC的能力。

最讓人嘖嘖稱奇的是，SoIC技術是采用硅穿孔（TSV）技術，可以達到無凸起的鍵合結構，可以把很多不同性質的臨近芯片整合在一起，當中最關鍵、最神秘之處，就在于接合的材料，號稱是價值高達十億美元的機密材料，因此能直接透過微小的孔隙溝通多層的芯片，達成在相同的體積增加多倍以上的性能，簡言之，可以持續維持摩爾定律的優勢。

臺積電赴日本參加VLSI技術及電路研討會發表技術論文時，也針對SoIC技術發表過論文，表示SoIC解決方案將不同尺寸、制程技術及材料的裸晶堆疊在一起。相較于傳統使用微凸塊的三維積體電路解決方案，臺積電的SoIC的凸塊密度與速度高出數倍，同時大幅減少功耗。此外，SoIC能夠利用臺積電的InFO或CoWoS的后端先進封裝至技術來整合其他芯片，打造強大的3D×3D系統級解決方案。

有媒體認為，從臺積電最初提出的CoWoS技術，到獨占蘋果代工的InFO技術，下一個讓它笑傲于封裝行業的，就是SoIC技術。

目前，臺積電的SoIC技術已經在竹南六廠（AP6）進入量產，月產能近2000片，預期未來幾年將持續翻倍增長，AMD是其首發客戶，最新的MI300采用了 SoIC搭配CoWoS封裝的方案。

基于成本、設計等因素考慮，蘋果大概率會采用SoIC搭配InFO的解決方案，或許在M3 Ultra上就能一睹這項技術的實力。

PoP技術帶領iPhone殺入智能手機市場，InFO讓蘋果自研移動芯片走上崛起之路，而SoIC，會讓蘋果在桌面端芯片上掀起一場新的封裝革命嗎？