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數(shù)據(jù)處理指數(shù)增長,DDR5時代來臨

2023-10-31 來源:Ai芯天下
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關鍵詞: 人工智能 半導體 英特爾 AMD

 

DDR5內存將在2024年成為主流


以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR(Double Data Rate)技術作為動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的重要演進,極大地推動了計算機性能的提升。 


從2000年第一代DDR技術誕生,到現(xiàn)在DDR5,每一代DDR技術在帶寬、性能和功耗等各個方面都實現(xiàn)了顯著的進步。 


據(jù)內存模塊制造商稱,主要半導體制造商正在增加DDR5內存的可用容量,該內存預計將在2024年成為主流。 


在集中削減DDR4產量的同時,主要DRAM芯片制造商正在迅速轉向利潤更高的DDR5生產。預計到2023年底,他們的DDR5內存bit銷售額合計將占bit銷售額總額的30-40%。

 

就bit銷售額而言,DDR5內存有望在2024年超過DDR4芯片。今年3月至4月期間,DDR5單位出貨量很可能與DDR4單位出貨量交叉。同時,由于產量限制,DDR4將從賠錢的產品轉變?yōu)橛氖袌觥?/span>


DDR5優(yōu)勢邁入了開始的第一步


眾所周知,DDR4內存作為主流內存標準已經(jīng)好多年了,不過隨著下一代DDR5內存的嶄露頭角,很多準備裝機的用戶也開始觀望。 


今年7月中旬,JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式發(fā)布了DDR5 SDRAM內存標準規(guī)范,內存的新時代要來了。 


DDR5 以更高的帶寬和性能吸引了廣泛的關注。與之前的DDR4相比,DDR5的最大優(yōu)勢在于它顯著降低了功耗,同時將帶寬提升了一倍。 


具體來看,DDR5當前發(fā)布協(xié)議的最高速率已達6.4Gbps,其時鐘頻率也從1.6GHz增加到了3.2GHz。 


DDR5的電源電壓相較于DDR4的1.2V降低了0.1V,達到了1.1V,雖然較低的電源電壓降低了功耗并延長了電池壽命。 


但同時也帶來了一些技術挑戰(zhàn),比如更容易受到噪聲的干擾,這使得信號完整性變得更具挑戰(zhàn)性,因為信號開關時電壓之間的噪聲余量更少,并可能會因此影響到設計。 


DDR5 的另一個重大變化是,與DDR4的電源管理芯片(PMIC)集成在主板上的方式不同,DDR5將電源管理 IC(PMIC)從主板上轉移到了雙列直插式內存模塊(DIMM)上。 


這使得電源管理、電壓調節(jié)和上電順序在物理上更接近模塊上的存儲器件,這也有助于確保電源完整性(PI),并增強對 PMIC 運行方式的控制。 


此外,在數(shù)據(jù)位總數(shù)保持不變的情況下,DIMM的通道數(shù)從1個通道增加到2個通道也是一個重要的進步,通過將數(shù)據(jù)分成兩個較窄的通道傳輸,可以更有效地生成和分配時鐘信號,從而來改善信號完整性。


 

SK海力士第一時間跟進DDR5內存


近日,SK海力士宣布,正式發(fā)布全球首款DDR5內存,頻率、容量、能效和功能技術都達到了全新的高度。 


實際上,SK海力士于2018年11月成功開發(fā)首款16Gb DDR5 DRAM之后,向英特爾等核心客戶提供樣品,并完成了一系列測試與性能、兼容性驗證等程序,這一成果也意味著SK海力士在即將到來的DDR5市場隨時能夠銷售相關產品。 


SK海力士首發(fā)的DDR5內存條為面向服務器、數(shù)據(jù)中心的RDIMM形態(tài),基于1Ynm工藝制造的16Gb顆粒,單條容量64GB,而借助TSV硅穿孔技術,最高可以達到256GB。 


其數(shù)據(jù)傳輸速率起步為4800MHz,最高為5600MHz,其速率相較前一代DDR4最多提升了1.8倍,這也意味著一秒鐘就可以傳輸9部全高清電影。 


運行電壓則為1.1V,相比DDR4的1.2V更節(jié)能,減少了20%的功耗。 


此外,作為RDIMM內存條,SK海力士DDR5 DRAM支持ECC調試功能,可以自行更正1 bit級的資料錯誤,應用可靠性號稱提升20倍。



其他大廠最新DDR5動作


三星電子的DDR5內存近期進行了產品調整和優(yōu)化修改,三星預計在完成產品轉換后,將在2023年第四季度提高DDR5芯片產量,并在2024年進一步擴大產量,美光科技也希望在DDR5內存領域獲得更大的份額。 


英特爾和AMD等PC平臺計劃明年推出新平臺,以進一步推廣和普及DDR5內存,并吸引消費者從DDR4升級。 


除了消費市場,服務器市場也對DDR5內存充滿了需求。英特爾計劃在年底之前推出第五代 Emerald Rapids服務器平臺。 


總體而言,下游內存模組制造商和渠道分銷商對DDR5內存的需求持樂觀態(tài)度,導致內存現(xiàn)貨價格上漲。 


預計到今年年底,DDR5在PC中的滲透率將達到30-40%。再加上未來對AI服務器的需求增加,DDR5內存有望進入快速增長期。 


結尾:


值得提的是,雖然DDR5市場可能成熟得較晚,但未來的普及速度可能會較DDR4更快。 


根據(jù)市調機構Omdia的數(shù)據(jù)顯示,DDR5內存的市場需求將在2021年開始出現(xiàn),2022年全球份額將突破10%,2024年即可達43%。 


相信屆時無論是技術還是產品方面,DDR5的成熟終將為存儲市場再次注入新的生命力。 



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