電子行業(yè)復(fù)蘇號(hào)角已吹響，AI、創(chuàng)新、國(guó)產(chǎn)化引領(lǐng)來(lái)年增量：回顧2023年，TMT板塊在AI浪潮的帶動(dòng)下領(lǐng)漲，年初至12月1日，SW電子指數(shù)上漲8.05%（5/31）；SW電子指數(shù)PE為38.95倍，對(duì)應(yīng)10年P(guān)E百分位38.26%。電子行業(yè)逐季復(fù)蘇，23Q3總營(yíng)收YoY+0.89%，QoQ+14.06%；歸母凈利潤(rùn)YoY-6.66%，QoQ+17.60%，同比降幅收窄。去庫(kù)取得成效、需求溫和復(fù)蘇的大背景下，下半年電子行業(yè)景氣度企穩(wěn)回升。

電子行業(yè)發(fā)展階段

電子行業(yè)的發(fā)展歷史可以追溯到19世紀(jì)末，以下是電子行業(yè)的重要發(fā)展階段：

1.萌芽階段（19世紀(jì)中葉至2世紀(jì)初）：這一階段主要是電子管的發(fā)明和應(yīng)用，如194年美國(guó)發(fā)明家李·德福雷斯特（Lee De Forest）發(fā)明了第一個(gè)真空電子管。

2.初步形成階段（兩次世界大戰(zhàn)前后）：在這個(gè)階段，電子技術(shù)開(kāi)始廣泛應(yīng)用于軍事和通信領(lǐng)域，如雷達(dá)、無(wú)線電等。同時(shí)，電子管逐漸被晶體管取代。

3.全面發(fā)展階段（二戰(zhàn)后至2世紀(jì)7年代末）：這一階段，電子技術(shù)迅速發(fā)展，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸崛起，集成電路誕生。1958年，美國(guó)發(fā)明家杰克·基爾比（Jack Kilby）首次展示了集成電路，1964年，英特爾創(chuàng)始人之一戈登·摩爾（Gordon Moore）提出了著名的摩爾定律。

4.成熟階段（2世紀(jì)8年代至今）：在這個(gè)階段，電子行業(yè)不斷拓展新的應(yīng)用領(lǐng)域，如個(gè)人電腦、手機(jī)、互聯(lián)網(wǎng)等。同時(shí)，半導(dǎo)體工藝不斷進(jìn)步，集成度不斷提高，為電子產(chǎn)品的小型化和功能強(qiáng)大提供了有力支持。

5.創(chuàng)新與轉(zhuǎn)型階段（21世紀(jì)初至今）：隨著互聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)通信等技術(shù)的發(fā)展，電子行業(yè)進(jìn)入了一個(gè)創(chuàng)新與轉(zhuǎn)型的新階段。物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能等新興領(lǐng)域?yàn)殡娮有袠I(yè)提供了新的發(fā)展機(jī)遇。

電子行業(yè)經(jīng)歷了從萌芽到成熟，再到創(chuàng)新與轉(zhuǎn)型的漫長(zhǎng)歷程。未來(lái)，電子行業(yè)將繼續(xù)發(fā)展，為人類社會(huì)帶來(lái)更多便利和創(chuàng)新。


電子行業(yè)2024年度十大展望

AI終端百花齊放，創(chuàng)新浪潮機(jī)遇叢生。隨著AI大模型的快速發(fā)展，AI或?qū)⒊蔀閭€(gè)人辦公學(xué)習(xí)的重要助手。搭載AI應(yīng)用的終端產(chǎn)品，可顯著提升生產(chǎn)效率，故而各類傳統(tǒng)電子終端有望老樹(shù)逢春。在傳統(tǒng)核心終端方面，國(guó)內(nèi)外巨頭正紛紛加注AI Phone和AI PC的硬件研發(fā)和產(chǎn)品落地；在創(chuàng)新終端方面，AI PIN的推出吹響了AI終端形態(tài)創(chuàng)新的號(hào)角，有望重構(gòu)未來(lái)的邊緣AI設(shè)備。端側(cè)AI浪潮已至，AI終端在2024年或結(jié)累累碩果。

折疊屏手機(jī)迭代出新，或成消費(fèi)者換機(jī)新趨勢(shì)。智能手機(jī)所承載的功能日趨多元和復(fù)雜，逐漸觸及直板屏可滿足的需求邊界。而折疊屏手機(jī)在大屏文件閱讀、分屏多任務(wù)處理等場(chǎng)景中具備顯著優(yōu)勢(shì)，有望被越來(lái)越多消費(fèi)者青睞。近年來(lái)，折疊屏手機(jī)快速迭代出新，產(chǎn)品不斷輕薄化，且價(jià)格持續(xù)下探，從而其銷售額逐步走強(qiáng)，在智能手機(jī)市場(chǎng)中異軍突起。隨著折疊屏手機(jī)硬件基座逐步夯實(shí)，其用戶體驗(yàn)將持續(xù)優(yōu)化，有望成為智能手機(jī)的全新增長(zhǎng)極。

XR蓄勢(shì)待發(fā)，開(kāi)啟空間計(jì)算新紀(jì)元。當(dāng)下消費(fèi)電子創(chuàng)新節(jié)奏邊際放緩，而XR有望憑借其全新交互方式開(kāi)創(chuàng)新一輪創(chuàng)新周期。蘋(píng)果于2023年6月發(fā)布的第一代MR產(chǎn)品Vision Pro不僅在芯片、光學(xué)、顯示、交互等硬件環(huán)節(jié)上采用頂級(jí)配置，其在內(nèi)容生態(tài)和應(yīng)用場(chǎng)景上也進(jìn)一步完善和拓寬。隨著蘋(píng)果MR產(chǎn)品于2023月12月開(kāi)始量產(chǎn)，并在2024年逐步落地和升級(jí)，其有望引領(lǐng)XR產(chǎn)業(yè)邁入新成長(zhǎng)軌道。

自主可控進(jìn)入深水區(qū)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈核心環(huán)節(jié)加速突破。美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體技術(shù)的限制已長(zhǎng)達(dá)數(shù)年之久，在半導(dǎo)體行業(yè)為代表的硬科技方面，底層技術(shù)的自主可控已形成共識(shí)。立足當(dāng)下，雖然近幾年的國(guó)產(chǎn)替代取得一定成效，但是在產(chǎn)業(yè)鏈最上游的核心零部件、光刻機(jī)等高端設(shè)備領(lǐng)域，依然有較大差距。在此背景下，在核心技術(shù)自主可控領(lǐng)域持續(xù)深耕細(xì)作的相關(guān)公司，依然具備較大的發(fā)展空間。近期，美國(guó)技術(shù)封鎖仍在持續(xù)加碼，自主可控已然進(jìn)入攻堅(jiān)期和深水區(qū)，靜待國(guó)內(nèi)廠商的播種耕耘逐漸開(kāi)花結(jié)果。

先進(jìn)封裝空間廣闊，Chiplet受益AI需求快速發(fā)展。隨著芯片尺寸接近物理極限，先進(jìn)封裝成為后摩爾時(shí)代提升芯片性能的關(guān)鍵。先進(jìn)封裝能夠提升芯片的集成密度與互聯(lián)速度、降低芯片設(shè)計(jì)門(mén)檻，并增強(qiáng)功能搭配的靈活性，具有廣闊的發(fā)展前景。其中，Chiplet是先進(jìn)封裝技術(shù)的重要應(yīng)用，亦是后道制程提升AI芯片算力的最佳途徑之一。Chiplet適配AI時(shí)代的發(fā)展需求，可大幅降低芯片的設(shè)計(jì)與制造成本。展望未來(lái)，隨著Chiplet互連標(biāo)準(zhǔn)聯(lián)盟的逐步完善，先進(jìn)封裝及Chiplet版圖將持續(xù)深化，前景可期。

HBM需求或?qū)⒖焖倥噬?，存?chǔ)大廠爭(zhēng)相布局。AI大模型的興起催生了海量算力需求，伴隨著數(shù)據(jù)處理量和傳輸速率的大幅提升，AI服務(wù)器對(duì)芯片內(nèi)存容量和傳輸帶寬提出了更高的要求，而HBM在此背景下應(yīng)運(yùn)而生。與GDDR相比，HBM在單體可擴(kuò)展容量、帶寬、功耗上更具優(yōu)勢(shì)，因此成為高端GPU的標(biāo)配，未來(lái)亦有望蔓延至更多應(yīng)用場(chǎng)景。為滿足高增的市場(chǎng)需求，海力士、三星、美光等國(guó)際大廠正積極布局HBM。其中，英偉達(dá)于11月發(fā)布第一款采用HBM3e的GPU芯片H200，將HBM布局浪潮推向新的高峰。展望未來(lái)，隨著存儲(chǔ)巨頭的持續(xù)發(fā)力，產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)也將緊密部署，HBM的影響力將逐步擴(kuò)大并帶來(lái)全新機(jī)遇。

汽車(chē)智能化大勢(shì)所趨，智能硬件加速產(chǎn)業(yè)化催生投資新機(jī)遇。5G、車(chē)聯(lián)網(wǎng)、云數(shù)據(jù)、算力芯片等技術(shù)或產(chǎn)品的發(fā)展，使得汽車(chē)早已成為眾多新技術(shù)應(yīng)用的智能載體。汽車(chē)智能化趨勢(shì)不變，其水平高低亦逐漸成為一個(gè)影響消費(fèi)者是否購(gòu)買(mǎi)汽車(chē)的重要選項(xiàng)。在產(chǎn)業(yè)政策和技術(shù)發(fā)展的雙向加持下，與智能駕駛、智能座艙、車(chē)路協(xié)同、智能燈控以及線控底盤(pán)等相關(guān)的芯片、連接器、光學(xué)器件等都將迎來(lái)投資機(jī)會(huì)。

持續(xù)創(chuàng)新加速滲透，第三代半導(dǎo)體材料蓄勢(shì)待發(fā)。以SiC和GaN等為代表的第三代半導(dǎo)體材料，因具備良好的電學(xué)性能，在新能源汽車(chē)、充電樁、Led照明以及軍工等領(lǐng)域均可廣泛應(yīng)用。如SiC器件，相比硅基，具有耐高壓、大電流、耐高溫和低損耗等優(yōu)點(diǎn)，可較大程度解決消費(fèi)者對(duì)當(dāng)前電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航短和充電慢等問(wèn)題。隨著規(guī)模化和技術(shù)創(chuàng)新，SiC器件成本有望持續(xù)下探，其產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展有望迎來(lái)春天。

邊緣計(jì)算前景廣闊，AIoT應(yīng)用百花齊放。邊緣計(jì)算可大幅削減數(shù)據(jù)傳輸處理成本，并保證處理的實(shí)時(shí)性，因此其重要性日益凸顯。邊緣計(jì)算落地于物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備，則形成了百花齊放的AIoT生態(tài)。AIoT能夠?qū)⒃O(shè)備的簡(jiǎn)單連接上升為智能交互，廣泛運(yùn)用于智能家居、智能安防、車(chē)聯(lián)網(wǎng)、智能物流等場(chǎng)景。隨著邊緣AIoT的應(yīng)用逐步泛化、以及物聯(lián)網(wǎng)終端的逐步落地，未來(lái)社會(huì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型進(jìn)程將加速推進(jìn)并孕育全新創(chuàng)新機(jī)遇。

衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)或迎蓬勃發(fā)展，手機(jī)直連衛(wèi)星開(kāi)創(chuàng)新時(shí)代。手機(jī)直連衛(wèi)星因能彌補(bǔ)地面移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的不足，構(gòu)建全球覆蓋、全天候、全天時(shí)的公眾應(yīng)急通信網(wǎng)絡(luò)，故而正成為衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的重要發(fā)展趨勢(shì)。目前，國(guó)內(nèi)外手機(jī)直連衛(wèi)星項(xiàng)目均已取得一定突破，華為Mate 60、iPhone 15、三星Galaxy S24等系列均搭載衛(wèi)星通信功能。展望未來(lái)，隨著衛(wèi)星互聯(lián)技術(shù)的成熟和成本的收縮，衛(wèi)星通信有望成為智能手機(jī)的標(biāo)配，從而帶動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)環(huán)節(jié)乘風(fēng)而起。


各細(xì)分領(lǐng)域上市公司

AI應(yīng)用終端方向，相關(guān)上市公司有華勤技術(shù)、春秋電子、福蓉科技、宇環(huán)數(shù)控、全志科技、勝宏科技、水晶光電、領(lǐng)益智造、匯創(chuàng)達(dá)、飛榮達(dá)、廣信材料等；

折疊屏方向，相關(guān)上市公司有凱盛科技、瑞華泰、長(zhǎng)信科技、寶鈦股份、福蓉科技、東睦股份、精研科技、金太陽(yáng)、宇環(huán)數(shù)控、鉑力特、華曙高科等；

XR方面，相關(guān)上市公司有立訊精密、歌爾股份、長(zhǎng)盈精密、華興源創(chuàng)、騰景科技、紫建電子、領(lǐng)益智造、三利譜、斯迪克、水晶光電、京東方A、清越科技、偉時(shí)電子、兆威機(jī)電、精測(cè)電子、中石科技等；

自主可控方向，相關(guān)上市公司有昌紅科技、新萊應(yīng)材、正帆科技、漢鐘精機(jī)、騰景科技、英杰電氣、蘇大維格等；

先進(jìn)封裝方向，相關(guān)上市公司有長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技、晶方科技等；

HBM方向，相關(guān)上市公司有華海誠(chéng)科、壹石通、聯(lián)瑞新材、賽騰股份、華海誠(chéng)科、德邦科技、雅克科技等；

汽車(chē)智能化方向，相關(guān)上市公司有德賽西威、經(jīng)緯恒潤(rùn)、保隆科技、科博達(dá)、電連技術(shù)、華陽(yáng)集團(tuán)、萬(wàn)集科技、納芯微、杰華特、龍迅股份、峰岹科技等；

第三代半導(dǎo)體材料方向，相關(guān)上市公司有斯達(dá)半導(dǎo)、時(shí)代電氣、揚(yáng)杰科技、新潔能、天岳先進(jìn)、士蘭微等；

AIOT方向，相關(guān)上市公司有樂(lè)鑫科技、全志科技、瑞芯微、北京君正、博碩科技、領(lǐng)益智造、博通集成等；

衛(wèi)星通信方向，相關(guān)上市公司有臻鐳科技、盟升電子、國(guó)博電子、華力創(chuàng)通、海格通信、電科芯片等。