英特爾近日發(fā)布了1.4nm工藝的首秀，這個(gè)突破性的技術(shù)再次將英特爾推向了全球晶圓代工技術(shù)的前沿。

英特爾近年來(lái)在芯片制造工藝上經(jīng)歷了一些挫折，曾經(jīng)的技術(shù)路線誤判導(dǎo)致制程落后，讓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手如臺(tái)積電和三星等逐漸擴(kuò)大市場(chǎng)份額。然而，英特爾并未放棄追趕的努力，而是通過(guò)轉(zhuǎn)型和計(jì)劃，加速技術(shù)進(jìn)步，以重新確立自己在全球晶圓代工技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位。最新的1.4nm工藝的推出，標(biāo)志著英特爾在晶圓代工領(lǐng)域的巨大突破。

根據(jù)報(bào)道，14A工藝將帶來(lái)更高的性能和更低的能耗，為未來(lái)的芯片制造提供了更強(qiáng)大的支持。在Intel Foundry Direct Connect大會(huì)上，英特爾首席執(zhí)行官帕特·基辛格透露了英特爾的最新代工進(jìn)展，涉及到1.4納米制程、新的客戶合作和代工模式，同時(shí)表達(dá)了對(duì)2030年成為全球第二大代工廠的雄心壯志。英特爾首次公布了14A制程以及其演進(jìn)版本14A-E。


1、擴(kuò)展「四年計(jì)劃」，英特爾工藝路線圖再刷新

按照基辛格在 2021 年制定的計(jì)劃，英特爾將在 4 年內(nèi)更新 5 個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。在 Intel 7 之后，Intel 4 已經(jīng)在最新的酷睿 Ultra 移動(dòng)處理器上落地，官方宣稱其代表著英特爾 40 年來(lái)最重大的架構(gòu)變革。

另一邊，Intel 3（名義上是 3nm）已經(jīng)準(zhǔn)備就緒，英特爾去年 7 月就宣布了 Intel 3 工藝在產(chǎn)能和性能方面達(dá)標(biāo)，將于 2024 年發(fā)布的兩款至強(qiáng)處理器——Granite Rapids 和 Sierra Forest（分屬 P-Core 和 E-Core 產(chǎn)品線）都將采用 Intel 3 工藝進(jìn)行制造。

作為英特爾的第一個(gè)大批量 EUV（極紫外）節(jié)點(diǎn)，Intel 3 還將在未來(lái)幾年推出不同版本，包括將于今年推出支持硅通孔（TSV）的 Intel 3-T、將于 2025 年推出功能擴(kuò)展的 Intel 3-E 以及更之后基于第二代 TSV 技術(shù)帶來(lái)更高性能的 Intel 3-PT。

再之后，英特爾還將陸續(xù)正式推出采用 PowerVia 背面供電技術(shù)的 20A（2nm）、18A（1.8nm）工藝。

20A 節(jié)點(diǎn)命運(yùn)多舛。原本英特爾 Arrow Lake 以及高通都計(jì)劃采用 20A 工藝，但后續(xù)不斷有消息指出，Arrow Lake 已經(jīng)轉(zhuǎn)向臺(tái)積電 3nm。包括基辛格剛剛也證實(shí)，即將推出的兩款處理器均將采用臺(tái)積電 3nm 工藝制造。

而根據(jù)天風(fēng)國(guó)際分析師郭明錤去年的一份報(bào)告，高通也早已停止開(kāi)發(fā) Intel 20A 芯片。同時(shí)還傳出 20A 工藝將僅供英特爾產(chǎn)品部門采用，不會(huì)主動(dòng)面向第三方客戶提供。在英特爾最新的路線圖中，也沒(méi)有推出 20A 后續(xù)工藝版本的任何計(jì)劃，在某種程度也佐證了之前的傳聞。

微軟將基于 Intel 18A 工藝制造芯片。

微軟沒(méi)有明說(shuō)這款芯片的詳情，但就在去年末，微軟剛剛發(fā)布了兩款與人工智能息息相關(guān)的自研芯片—— Maia 100 AI 芯片和 Cobalt 100 CPU。如果不出意外，就是這兩款芯片將采用英特爾最新的 18A 工藝。

此外，英特爾在最近剛剛完成了 18A 主要產(chǎn)品 Clearwater Forest 的流片，后續(xù)還計(jì)劃推出性能提升的 18A-P 節(jié)點(diǎn)。

而在這版路線圖中，除了一系列迭代版本的增加，最值得關(guān)注的部分還是首次公布了 14A（1.4nm）及其迭代版本 14A-E，這將是英特爾真正重回全球晶圓代工技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的關(guān)鍵。


2、從 14nm 到 14A，英特爾要反超臺(tái)積電

如果從 2015 年推出采用 14nm 工藝的 Skylake 算起，到 2025 年英特爾正式投入 18A 工藝的量產(chǎn)，正好是 10 年。這 10 年中，英特爾有 7 年始終困在從 14nm 到 10nm 的升級(jí)，而留給英特爾從 10nm 跨越到 18A（1.8nm）的時(shí)間，滿打滿算也只有：3 年。

如果可以如期實(shí)現(xiàn)，這將是一場(chǎng)技術(shù)和工程的「奇跡」。而屆時(shí)，英特爾也將在工藝制程上完成對(duì)領(lǐng)先集團(tuán)（臺(tái)積電、三星）的追趕。

按照目前英特爾和臺(tái)積電的路線圖，英特爾將在 2025 年實(shí)現(xiàn) 18A 工藝的量產(chǎn)，臺(tái)積電 2nm 也將在 2025 年正式投入量產(chǎn)。

這里需要指出的是，雖然英特爾的 18A 工藝名義上是 1.8nm 制程，基辛格也多次強(qiáng)調(diào)該制程相比臺(tái)積電 2nm 工藝的領(lǐng)先，但實(shí)際比較晶體管密度，兩者相差無(wú)幾，也都采用下一代 GAA（全環(huán)繞柵極）架構(gòu)。

目前來(lái)看，英特爾 18A 更直接的優(yōu)勢(shì)還是來(lái)自獨(dú)有的背面供電技術(shù)等，當(dāng)然臺(tái)積電 2nm 也會(huì)有一些獨(dú)有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。但總體而言，英特爾 18A 工藝實(shí)際對(duì)標(biāo)就是臺(tái)積電、三星的 2nm 工藝。

換言之，英特爾要到下一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)—— 14A 才可能真正反超臺(tái)積電。

按照英特爾的計(jì)劃，他們將于 2027 年前開(kāi)發(fā)出 14A 工藝，并且將在該節(jié)點(diǎn)首次采用 ASML 的 High-NA EUV（高數(shù)值孔徑極紫外）光刻機(jī)。事實(shí)上，光刻機(jī)巨頭 ASML 去年末就在 X（原 Twitter）上宣布首套 High-NA EUV 光刻機(jī)正從荷蘭 Veldhoven 總部開(kāi)始裝車發(fā)貨，將向英特爾俄勒岡廠進(jìn)行交付：

「我們很高興、也很自豪，能夠向英特爾交付我們的第一個(gè) High-NA EUV 系統(tǒng)。」

按照 ASML CEO Peter Wennink 的說(shuō)法，單臺(tái) High-NA EUV 的價(jià)格在 3 億到 3.5 億歐元（約合人民幣 22.6 億元到 26.4 億元）之間，英特爾的首發(fā)搶購(gòu)，也恰恰說(shuō)明了其對(duì)奪回技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者地位的迫切和重視。

事實(shí)上，英特爾的轉(zhuǎn)型和進(jìn)步已經(jīng)得到了市場(chǎng)的認(rèn)可。微軟就是其中的一個(gè)典型案例。他們決定基于英特爾的18A工藝制造芯片，這無(wú)疑是對(duì)英特爾技術(shù)實(shí)力和未來(lái)發(fā)展?jié)摿Φ木薮罂隙ā６@一合作也將進(jìn)一步推動(dòng)英特爾在晶圓代工領(lǐng)域的崛起和發(fā)展。

英特爾通過(guò)晶圓代工模式和最新的芯片工藝進(jìn)展，正在努力實(shí)現(xiàn)追趕并超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的目標(biāo)。他們?nèi)碌?.4nm工藝（14A）不僅展示了他們?cè)诩夹g(shù)上的領(lǐng)先地位和創(chuàng)新實(shí)力，更彰顯了他們?cè)谌蚓A代工市場(chǎng)的雄心壯志和堅(jiān)定決心。我們有理由相信，在未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)中，英特爾將憑借其卓越的技術(shù)和不懈的努力，重新奪回晶圓代工領(lǐng)域的王者之位。