據內存控制器和PHY IP供應商Synopsys介紹，下一代PC DDR6內存標準（區別于GDDR6）將在今年內完成初始草案，正式的1.0版本規范或于2025年第二季度內完成。DDR6內存將從8800MT/s起步，最高可達DDR6-17660，并且可在未來擴展至DDR6-21333。

當前DDR5的JEDEC最高速度是DDR5-8400，DDR6-17600帶寬將是它的兩倍。若是同DDR4的初始速度DDR-2133相比，DDR6-21333的帶寬將是前者的10倍。JEDEC暫時還沒有確定DDR6將采用PAM還是NRZ信號標準。

除DDR6之外還有LPDDR6的消息。針對手機和輕薄計算設備的LPDDR6將從LPDDR6-10677起跳，最高可達LPDDR6-14400。

LPDDR6將具有2個12位子通道，并引入多項提升安全和能效表現的新功能。

AMD ZEN6架構每個CCD可提供多達32個核心：ZEN 4c和ZEN 5c架構的每個CCD可提供最多16個核心，而根據最新的爆料，未來ZEN6架構（有可能是ZEN 6c）的CCD可塞入多達32個核心。

目前還不清楚32核心的ZEN6 CCD將使用單個CCX包含全部32核心（所有核心共享L3緩存），還是像Zen 4c那樣分為兩個CCX（CCX內核心共享L3緩存）。更多的核心數量將受到數據中心和云計算客戶的歡迎，當然個人電腦用戶也有機會從中受益。


DDR內存將繼續上漲

在集邦咨詢發布的最新分析報告中，預測了2024年DDR內存市場的整體經濟走勢，其中指出，該市場在第一季度將呈現約20%的增長幅度。報告進一步預計，進入第二季度時，盡管市場仍將保持增長態勢，但增長率預計將回落至3%至8%的區間。

此輪價格上漲主要歸因于兩個核心因素：一是本年度對內存需求的減弱；二是自去年第四季度起，供應鏈已實施連續且顯著的價格上調，因此缺乏持續上漲的動力。

細分到不同產品領域，報告顯示個人計算機領域的內存產品，在第一季度價格增幅介于15%-20%，包括DDR4和DDR5兩種規格在內的所有產品線都受到了影響，無一例外。

盡管人工智能（AI）個人電腦概念當前受到市場的熱烈關注，但由于該行業仍處于起步階段，短期內的市場前景仍需進一步觀察，這同樣影響了對于高性能DDR5內存的需求動力。

在服務器領域，內存價格亦出現了15%-20%的上漲。移動設備端的漲幅更是顯著，達到了18%-23%。

此外，消費電子類產品也經歷了10%-15%的價格上漲，其中DDR3型號的產品漲勢更為溫和，介于8%-13%，而DDR4型號則符合整體的10%-15%的漲幅范圍。

顯卡所用的顯存價格亦有顯著上升，漲幅為13%-18%，特別是針對2GB GDDR6規格的需求表現強勁。然而，由于制造商們逐步轉向更高利潤率的HBM產品線，對GDDR產品的投資與規劃顯示出一種保守態度。

在進入第二季度之際，預期將見到各業務領域內價格的上升，增長幅度預計介于3至8%之間。然而，值得注意的是，移動端DDR4內存的價格增幅將超出這一平均水平，其預期的增長率為5%至10%。


中國臺灣內存制造商希望 DDR4 能助力 2024 年增長

預計DDR4今年將進入生命周期的成熟階段，從而帶來銷量和價格的上漲。因此，業內人士認為，中國臺灣的內存制造商和無晶圓廠公司正更加重視這一市場。市場擔心韓國制造商在重新集中生產精力時會停產過時的 DDR3 產品。

據業內人士透露，DDR3 向 DDR4 的轉變已經開始，中國臺灣內存制造商將從 2024 年開始優先考慮 DDR4 以提高收入。出貨量和平均銷售價格 (ASP) 的結合將有助于他們今年的增長。

消息人士稱，雖然 DRAM 合同價格穩步上漲，但 2024 年上半年利基市場 DDR3 的價格漲幅仍然相當溫和。

南亞科技、華邦電子、晶晨半導體（ESMT）等中國臺灣內存公司在 2024 年第一季度仍處于虧損狀態。

2024 年第一季度，利基內存 IC 設計公司 ESMT 虧損約 5796 萬新臺幣（179 萬美元）。與上一季度的 5.9 億新臺幣虧損和去年同期的 3.7 億新臺幣虧損相比，這是一個很大的改善。

ESMT也意識到，2024年中國臺灣廠商將從DDR4獲得新的發展前景，因為全球主要內存供應商主要集中在DDR5或HBM內存上。內存產品每兩到三年就會更新一次。

目前，DDR4 已接近 DDR3 階段的過渡，預計將推動價格和銷量的上漲。據 ESMT 預測，出貨量將大幅攀升，芯片平均售價也將上漲。