在經濟復蘇和數字經濟轉型驅動下，存儲芯片正成長為半導體行業最景氣的子賽道。

據世界半導體貿易統計組織（WSTS）預估，今年全球半導體產值將達5272億美元，將成長19.7%；存儲芯片產值將成長31.7%，增幅將高居第一。WSTS預期，2022年全球半導體產值可望進一步達5734億美元，將再成長8.8%；存儲芯片產值將成長17.4%，增幅仍將高居第一。

供需緊張態勢延續至Q3 行業邁入成長周期

去年以來，5G、消費電子、AI、物聯網等市場快速發展，疊加疫情下居家辦公、遠距學習模式，存儲需求大幅拉高，推動存儲器產業持續成長。

DRAM和NAND Flash是增長最快的兩個細分領域。DRAM存儲芯片下游以移動端為主，包括手機和筆記本電腦，占比超過60%。而NAND Flash通常被用來保存大量數據。其下游應用領域是有大規模數據存儲需求的企業、數據中心。

由于下游需求向好疊加晶圓產能緊張，這兩種產品均處于漲價景氣周期中。據市場研究機構TrendForce集邦咨詢預計，DRAM價格今年一季度的現貨價格已同比增幅在18~23%之間，NAND Flash漲幅則在5~10%。

供需緊張背景下，多家機構預測漲價仍將持續。

TrendForce近日發布報告稱，受各終端買方于今年上半年積極備庫存的帶動，使得存儲器原廠庫存處于低水位，DRAM原廠平均庫存僅3~4周；NAND Flash供應商平均庫存則為4~5周。

面對第三季服務器客戶欲加強采購力道，原廠針對各類存儲器產品報價并無降價求售的必要性，故TrendForce預估，供需緊張的態勢將延續至三季度，Q3整體DRAM價格將續漲約3~8%；NAND Flash則受enterprise SSD及wafer需求攀升，整體價格季漲幅將由原先的3~8%，上調至5~10%。

長期來看，市場調研機構IC Insights預計，全球存儲芯片市場將持續4年高景氣度，2020-2025年全球存儲芯片市場年復合增長率將達10.6%。存儲芯片銷售額預計將在2022年突破1800億美元，超過2018年的歷史最高紀錄，并將在2023年達到下一個周期峰值。

存儲產業鏈國產化比例有望加速提升

據川財證券研報，我國存儲芯片市場規模已從2015年的45.2億美元增長至2020年的183.6億美元，預計2024年將突破500億美元。

然而，我國的存儲器領域里國內企業參與度很低，作為全球存儲芯片最大的市場，我國國產化率卻不足5%。在半導體存儲器制造領域，僅有部分IC晶圓代工、封測廠商提供少量的服務。

目前，我國出臺了一系列產業政策，如《“十三五“國家戰略性新興發展產業發展規劃》、《國家信息化發展戰略綱要》、《中國制造2025》等，鼓勵、支持整個半導體存儲行業的發展。國家集成電路產業基金也曾多次強調支持集成電路產業龍頭企業的發展，將更大力度地支持集成電路制造業和特色集成電路發展，重點推進存儲行業內的項目。

該機構分析師孫燦表示，在國家層面政策利推動下，存儲產業鏈國產化比例提升將持續加速。

具體來看，DRAM芯片制造端，方正證券分析師陳杭4月3日發布研報稱，短期內我國DRAM自主替代最大的希望就是合肥長鑫；兆易創新為合肥長鑫的關聯方，正從市場規模較小的NOR Flash向DRAM拓展。其首款自有品牌4GbDDR4產品GDQ2BFAA系列現已量產，這標志著兆易創新正式入局DRAM這一主流存儲市場；紫光國微是國內領先的集成電路設計企業，主業涵蓋集成電路業務和晶體業務，成熟的DDR3模組系列產品讓公司成為國產DRAM存儲器主要供應商。

NAND Flash方面，長江存儲已宣布128層NAND Flash產品已經研發成功；北京君正的存儲芯片產品涵蓋SRAM、DRAM、NOR Flash和NAND Flash等。

封裝環節，深科技封測產品主要包括DDR3、DDR4，LPDDR3、LPDDR4、eMCP、USB、eMMC、ePOP、SSD、3DNAND以及Fingerprint指紋芯片等，并具備wBGA、FBGA、LGA等封測技術。