預測顯示，三星電子明年在高帶寬存儲器（HBM）市場的份額將超過30%。盡管今年上半年三星電子表現不佳，落后于SK海力士和美光，但分析師預測，隨著其下一代產品HBM4全面進入英偉達供應鏈，其銷量將有所增長。

根據市場調研公司Counterpoint Research 9月24日發布的最新存儲器半導體數據，SK海力士在第二季度以62%的市場份額領跑HBM市場。美光科技以21%的市場份額位居第二，三星電子以17%的市場份額位居第三。

Counterpoint Research預測，盡管三星電子在第二季度的市場份額低于預期，但明年其在HBM市場的份額將超過30%。這得益于該公司即將獲得主要客戶的HBM3E產品認證，以及明年憑借HBM4出口擴大市場份額的能力。

三星電子推出了比HBM4領先一步的10納米級第六代（1c）DRAM工藝以及4納米代工工藝。今年7月，該公司完成了采用1c納米工藝的HBM4的開發，并向主要客戶交付樣品，預計將于年底實現量產。據悉，三星電子正在開發的HBM4通過提高單元集成密度，與上一代產品相比，功耗提高了40%，數據處理速度據稱可達11Gbps。開發完成后，該公司近期重啟了此前因實施“規模經濟”戰略而暫停的平澤五號工廠（P5）的建設。

該機構預計，隨著HBM4的發布，韓國企業在HBM市場的主導地位將進一步鞏固。HBM領域的領軍企業SK海力士已完成HBM4的開發，并于近期建立了量產體系。如果通過質量測試，預計將被搭載于英偉達的下一代人工智能 (AI) 圖形處理器 (GPU) Rubin，后者計劃于明年年底實現量產。中國企業正試圖通過開發HBM產品在技術上迎頭趕上，但由于難度較高，目前尚未能夠真正落地。

Counterpoint Research高級研究員Choi Jung-gu分析道：“中國正在推進HBM3開發，但尚未解決運行速度和發熱等技術問題。最初預計今年出貨的產品，很可能要到明年下半年才能實現。”（校對/李梅）