三星電子已將其第七代高帶寬存儲器（HBM4E）的目標帶寬設定為每秒3TB以上，并計劃于2027年實現量產。該公司計劃將每針腳的傳輸速度提升至每秒13Gbps以上，最高可達3.25TB/s，是當前第五代HBM3E的2.5倍。鑒于英偉達要求明年推出的第六代HBM4提升帶寬，這一發展將加劇下一代HBM的速度競爭。

當地時間10月14日，在圣何塞會展中心舉行的開放計算項目（OCP）2025全球峰會上，三星電子公布了正在研發的HBM4E的目標帶寬，目標是在2027年實現超過13Gbps的引腳速率。HBM4E擁有2048個引腳，換算成字節（1字節等于8位）即可達到3.25TB/s。同時，三星電子還表示，HBM4E的能效將是目前HBM3E的兩倍以上，HBM3E的能效為3.9 pJ/bit。

這是自今年1月在舊金山舉行的ISSCC 2025峰會以來，三星電子首次公開HBM4E的目標帶寬。當時，三星電子將HBM4E的目標帶寬較去年的計劃提高了25%，達到每引腳10Gbps，傳輸速度為2.5TB/s。然而，今年年中，情況發生了變化。HBM的最大消費者英偉達要求提高 HBM4 的帶寬，以用于其下一代 AI 加速器“Vera Rubin”。

根據國際半導體標準組織（JEDEC）的規范，HBM4的帶寬為每針8Gbps，總計2TB/s。然而，英偉達向內存制造商三星電子、SK 海力士和美光提出了每針10Gbps以上的要求。為此，三星電子將HBM4的針腳速度提升至11Gbps，SK 海力士也成功實現了相應的速度。盡管有分析認為美光在帶寬提升方面舉步維艱，但美光最近在財報中宣布已向“主要客戶”（英偉達）交付了11Gbps帶寬的HBM4樣品，這緩解了外界的擔憂。

由于第六代HBM4在量產前就實現了高于預期的帶寬，半導體行業普遍預期下一代HBM4E的帶寬將高于最初的計劃。（校對/李梅）