12月16日，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）在其最新發(fā)布的《年終總半導(dǎo)體設(shè)備預(yù)測(cè)報(bào)告》中指出，2025年全球半導(dǎo)體制造設(shè)備原始設(shè)備制造商（OEM）銷售額預(yù)計(jì)將達(dá)到1330億美元，同比增長(zhǎng)13.7%，創(chuàng)下歷史新高。展望未來，該市場(chǎng)有望在2026年和2027年繼續(xù)攀升，分別達(dá)到1450億美元和1560億美元。

這一強(qiáng)勁增長(zhǎng)主要由人工智能（AI）相關(guān)投資驅(qū)動(dòng)，涵蓋先進(jìn)邏輯芯片、存儲(chǔ)器以及先進(jìn)封裝等關(guān)鍵領(lǐng)域。SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)展現(xiàn)出前所未有的增長(zhǎng)動(dòng)能，前道與后道設(shè)備銷售預(yù)計(jì)將連續(xù)三年實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)，并在2027年首次突破1500億美元大關(guān)。自年中預(yù)測(cè)以來，AI需求所帶動(dòng)的投資力度遠(yuǎn)超預(yù)期，促使我們?nèi)嫔险{(diào)各細(xì)分市場(chǎng)的增長(zhǎng)預(yù)期。”

按細(xì)分市場(chǎng)劃分

• 晶圓廠設(shè)備（WFE）：

繼2024年創(chuàng)下1040億美元的歷史高點(diǎn)后，WFE市場(chǎng)（包括晶圓加工、晶圓廠設(shè)施及掩膜/掩模版設(shè)備）預(yù)計(jì)在2025年增長(zhǎng)11.0%，達(dá)到1157億美元——顯著高于年中預(yù)測(cè)的1108億美元。增長(zhǎng)動(dòng)力主要來自DRAM和高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）投資超預(yù)期，以及中國(guó)大陸持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)。預(yù)計(jì)2026年和2027年WFE銷售額將分別再增長(zhǎng)9.0%和7.3%，最終達(dá)到1352億美元。設(shè)備廠商正加大對(duì)先進(jìn)邏輯與存儲(chǔ)技術(shù)的資本支出。

• 后端設(shè)備：

后端設(shè)備市場(chǎng)自2024年起開啟強(qiáng)勁復(fù)蘇。2025年，半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)激增48.1%，達(dá)112億美元；封裝設(shè)備銷售額則增長(zhǎng)19.6%，至64億美元。2026年和2027年，測(cè)試設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)將分別增長(zhǎng)12.0%和7.1%，封裝設(shè)備則分別增長(zhǎng)9.2%和6.9%。這一趨勢(shì)主要受器件架構(gòu)日益復(fù)雜、先進(jìn)及異構(gòu)封裝加速普及，以及AI和HBM對(duì)性能提出的更高要求所推動(dòng)。不過，消費(fèi)電子、汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求疲軟在一定程度上構(gòu)成抵消因素。

圖源：SEMI

按應(yīng)用領(lǐng)域劃分（WFE）

• Foundry與邏輯芯片：2025年相關(guān)設(shè)備銷售額預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)9.8%，達(dá)666億美元。盡管面臨宏觀經(jīng)濟(jì)挑戰(zhàn)，先進(jìn)制程投資仍保持韌性。2026年和2027年預(yù)計(jì)分別增長(zhǎng)5.5%和6.9%，到2027年將達(dá)752億美元。芯片制造商正積極擴(kuò)大AI加速器、高性能計(jì)算（HPC）及高端移動(dòng)處理器的產(chǎn)能，并逐步邁向2納米環(huán)繞柵極（GAA）節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模量產(chǎn)。

• NAND閃存設(shè)備：受益于3D NAND堆疊技術(shù)進(jìn)步及主流產(chǎn)能擴(kuò)張，2025年銷售額預(yù)計(jì)大幅增長(zhǎng)45.4%，達(dá)140億美元。2026年和2027年將分別再增長(zhǎng)12.7%和7.3%，達(dá)到157億和169億美元。

• DRAM設(shè)備：2025年銷售額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)15.4%，至225億美元。隨著存儲(chǔ)廠商持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)HBM并推進(jìn)更先進(jìn)制程以滿足AI與數(shù)據(jù)中心需求，2026年和2027年銷售額預(yù)計(jì)將分別增長(zhǎng)15.1%和7.8%。

圖源：SEMI

按地區(qū)劃分

至2027年，中國(guó)大陸、中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)和韓國(guó)仍將穩(wěn)居全球半導(dǎo)體設(shè)備支出前三。其中：

• 中國(guó)大陸有望在整個(gè)預(yù)測(cè)期內(nèi)保持設(shè)備支出首位，盡管增速有所放緩，且自2026年起銷售額將逐步回落。本土晶圓廠仍在成熟制程及部分先進(jìn)節(jié)點(diǎn)持續(xù)推進(jìn)投資。

• 中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)2025年設(shè)備支出表現(xiàn)強(qiáng)勁，主要得益于面向AI與高性能計(jì)算的大規(guī)模尖端產(chǎn)能建設(shè)。

• 韓國(guó)則憑借在HBM等先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)上的巨額投入，維持高位設(shè)備支出。

此外，在政府激勵(lì)政策、供應(yīng)鏈區(qū)域化趨勢(shì)以及特色工藝產(chǎn)能擴(kuò)張的共同推動(dòng)下，報(bào)告覆蓋的其他地區(qū)（如北美、歐洲、日本和東南亞）也將在2026年和2027年實(shí)現(xiàn)設(shè)備支出的全面增長(zhǎng)。

總體來看，AI浪潮正深刻重塑全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)格局，推動(dòng)技術(shù)升級(jí)與產(chǎn)能擴(kuò)張進(jìn)入新一輪高潮。