隨著新能源汽車、自動駕駛、家電等領域需求的快速增長，最為緊缺的28nm及以上成熟制程芯片的供應似乎成為關注的焦點。

當前的半導體先進制程已經演進到5nm量產階段，但這并不代表成熟工藝已經過時，相反，28nm成熟工藝依舊備受市場青睞。

28nm，走紅過，被冷落過

28nm是成熟工藝中的重要節點，區分了先進制程與成熟制程。

由臺積電于2011年率先推出，此后，三星、格芯、中芯國際等大廠也接連宣布突破了28nm。

2013年是28nm制程的普及年，2015—2016年間，28nm工藝開始大規模用于手機應用處理器和基帶。

隨著技術的成熟，28nm工藝產品市場需求量呈現爆發式增長態勢，并且這種高增長態勢持續到2017年。

到了2018年，全球28nm呈現產能過剩格局，臺積電、聯電等都面臨產能過剩的危機。

同時，隨著先進制程的不斷突破，28nm對于晶圓代工廠來說賺錢的價值也在下降。

再加上未來市場供需存在不確定性，擴充成熟制程可能造成產能過剩。

這幾年，臺積電等廠商幾乎都把重點投向了先進制程。

成熟制程28nm靠疫情再次出頭

在疫情帶來的消費電子以及新能源汽車、5G、AIoT 等新應用的快速興起，讓多年不再擴產的成熟制程迎來了爆發式的需求增長，供需嚴重失衡，持續沖擊著眾多的行業。

至此，臺積電再次扛起了28nm大旗，而聯電、格芯則憑借戰略轉變的優勢，在這個節點攻城拔寨，中芯國際也在鉆研多年后，迎來了28nm好時機。

28nm以上的成熟工藝芯片在則不同，這類芯片應用范圍非常廣，包括電源管理器、功率器件以及汽車等多個領域。

毫不客氣的說，28nm以上的成熟工藝芯片在所有的芯片供應中占比最高，也是需求量最大的芯片種類，在此次全球缺芯環境下，成熟工藝存在巨大的缺口。

伴隨著物聯網建設的加速，大量的IoT設備將帶動MCU以及射頻芯片的需求，而這些芯片大多都是采用成熟制程工藝，所以，28nm以上的成熟芯片的市場空間依舊很大。

根據IHS Markit預測，全球晶圓代工市場的規模將在2025年達到961億美元，其中28nm以上的成熟制程占比將達到48％。

28nm成熟制程需求旺盛的原因

從技術層面來看，28nm可以說是最具“高性價比”的制程技術。

IBS的數據顯示，28nm之后芯片的成本迅速上升。28nm工藝的成本為0．629億美元，到了7nm和5nm，芯片的成本迅速暴增，5nm將增至4．76億美元。

相關資料顯示，28／22nm采用高介電層／金屬閘極（HKMG），是平面式技術世代中最高階的制程，價格比16／12nm 所采用的 FinFET 技術低廉，可提供客戶兼具效能與成本的最佳解決方案。

從終端產品應用來看，較為成熟的28nm節點主要應用包括中低端手機、平板、機頂盒、路由器等主芯片。

在智能駕駛、萬物聯網的趨勢下，需要更多的IC，但也不必用到7nm、5nm生產，用28nm制程即可滿足大部分的需求。

臺積電：大背景下迅速投資擴產28nm

臺積電在官網發布公告，臺積電成立的子公司日本先進半導體制造公司將在日本建廠，同樣，在日本建立的產線也是成熟工藝，為22nm和28nm產線，初期建廠投資為70億美元，計劃在2024年投入使用。

值得一提的是，此次臺積電在高雄建廠，將投入577億，預計高雄工廠的產能不會太小。

臺積電意識到28nm成熟工藝的重要性，所以，選擇調整業務方向，加大28nm成熟芯片產能的擴充。

中芯國際：提前部署28nm將獲得更多芯片訂單

今年3月，中芯國際便已經宣布擴產12英寸28nm成熟工藝產能，將投入23．5億美元，預計明年便能投產使用。

其實，中芯國際已經不止一次擴產28nm產能，今年9月，中芯國際再次決定投資88．7億美元，在上海臨港自貿區再次建設一條月產能10萬片的28nm產線。

按照中芯國際的計劃，建立的28nm成熟工藝產線，部分產能到明年就能釋放。

此外，中芯國際率先建立28nm產線，也就意味著，在產能釋放方面比臺積電更快，如此一來，在全球缺芯愈演愈烈的背景下，中芯國際將從市場中獲得更多的芯片訂單。

美國攔路虎隨時角落局勢

光刻機是半導體設備中技術壁壘最高、難度最大、國產替代進程較慢的設備。不過這一次中芯國際并不缺乏用于28nm產線的DUV光刻機。

盡管ASML DUV光刻機的光源及部分部件是在美國生產，然后運往荷蘭組裝，但在荷蘭生產的光刻機并不需要美國批準。

短期來看，中芯國際并不會缺少用于28nm產線的DUV光刻機。

光刻機暫時不是攔路虎，但其他設備的交付情況并不樂觀。應用材料、泛林半導體等設備巨頭在美國生產的半導體設備如果無法按期交付，可能會阻礙中芯國際28nm擴產進度。

國產設備廠商技術水平基本已達28nm

北方華創的立式低壓化學氣相沉積系統可用于28nm及以上的集成電路制造；其exiTin系列TiN金屬硬掩膜機臺可以用于12英寸55－28nm的Ti／TiN PVD工藝。

目前TiN金屬硬掩膜機臺已進入國際供應鏈體系并穩定量產；此外，北方華創PEALD設備也能夠滿足28nm產線的要求。

拓荊科技的主要產品有等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三個系列，可用于28nm／14nm邏輯芯片產線。

目前，芯源公司的涂膠顯影設備最高可用于12英寸單晶圓處理，其前道KS－FT200／300涂膠顯影機可用于28nm及以上工藝節點。

整體來看，大部分國產設備廠商的產品已可以應用于28nm制程產線中，甚至在部分領域達到了行業領先水平。

結尾

總體來看，28nm的大爆發，既得益于其自身技術和價格優勢，更多的還在于市場需求的加持。

隨著這些廠商的技術和設備逐漸成熟，28nm芯片的國產替代正越來越近，值得行業期待。