2月21日消息，國(guó)際IDM正率先將將高利潤(rùn)的汽車MOSFET和IGBT功率模塊生產(chǎn)從8英寸遷移至12英寸，以提高其在該領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。

《電子時(shí)報(bào)》援引該人士稱，日本東芝半導(dǎo)體最近宣布計(jì)劃投資1,000億日元（合8.694億美元），擴(kuò)大其12英寸汽車電源模塊fab產(chǎn)能。英飛凌和AOS也大膽采用12英寸晶圓產(chǎn)能內(nèi)部生產(chǎn)高端汽車MOSFET和IGBT功率芯片解決方案，具有高毛利率和技術(shù)門檻。

在將生產(chǎn)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向汽車電源模塊的同時(shí)，IDM們也在削減用于IT應(yīng)用的MOSFET的產(chǎn)量，導(dǎo)致消費(fèi)級(jí)MOSFET短缺，并促使客戶將訂單轉(zhuǎn)向中國(guó)臺(tái)灣的供應(yīng)商。消息人士稱，后者都在加強(qiáng)SGT MOSFET的生產(chǎn)，以滿足商用筆記本電腦和臺(tái)式電腦的訂單。

與國(guó)際IDM不同，這些廠商仍然依賴于8英寸產(chǎn)線生產(chǎn)IT用MOSFET，大部分采用0.18um、0.13um、0.11um以及90nm制程。但消息人士指出，8英寸持續(xù)收緊的供應(yīng)能力將成為影響這些廠商出貨量的主要因素之一。