（文/羅葉馨梅）2025年11月12日，隨著AI計算功耗的不斷增長，碳化硅（SiC）逐漸成為AI數據中心電源供應單元的重要材料，主要用于交直流轉換階段。通過降低能耗、優化散熱和提升功率密度，碳化硅打破了傳統半導體材料的應用天花板，拓展了其在AI數據中心的市場潛力。

AI服務器在計算需求日益增長的背景下，功耗越來越高。為此，數據中心需要采用更高功率的供電架構，提高各環節的效能和功率密度。SiC、GaN等第三代半導體材料因其高擊穿電場、高遷移率等特點，可以在更高溫度和電壓下工作，從而提升電力轉換效率，降低能耗與成本。

目前，頭部廠商正積極推動SiC/GaN在AI數據中心領域的應用，以滿足高性能計算需求。東方證券指出，隨著AI服務器和數據中心大功率供電需求的持續增長，SiC/GaN材料有望在未來得到更加廣泛的應用，推動行業從傳統硅材料向更高效能、更高功率的半導體技術過渡。

相關上市公司方面，天岳先進表示，其客戶英飛凌和安森美已經成功進入英偉達等行業巨頭的供應鏈，為AI算力基礎設施提供支持，成為行業的重要組成部分。

三安光電則在碳化硅產業鏈上深耕，涵蓋晶體生長、襯底制備、外延生長、芯片制程及封裝測試等環節。其碳化硅產品已廣泛應用于新能源汽車、光伏儲能、充電樁及AI和數據中心服務器等多個領域，進一步拓展了第三代半導體材料的應用范圍。

業內人士認為，隨著AI數據中心和智能計算的持續發展，SiC/GaN在功率轉換、散熱和電源管理等方面的優勢將進一步凸顯，預計這些材料將在未來幾年內成為行業標準，推動AI算力基礎設施的持續升級。（校對/秋賢）