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計算光刻究竟是個啥?和光刻是什么關系?

2023-03-28 來源:半導體行業(yè)觀察
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關鍵詞: 臺積電 ASML 計算機光刻

2023春季GTC上,NVIDIA與TSMC(臺積電)、ASML 和Synopsys聯(lián)合宣布,完成全新的 AI 加速計算光刻技術 cuLitho。cuLitho可以將下一代芯片計算光刻度提高 40 倍以上,極大降低了光掩膜版開發(fā)的時間和成本。


cuLitho的成功,幫助摩爾定律前進到2nm掃平了一些外在障礙,同時也證明在傳統(tǒng)CPU占據(jù)的領域,GPU完全可以依靠其并行計算的價值,將生產力提升至新高度。

NVIDIA CEO黃仁勛表示,“芯片行業(yè)是世界上幾乎所有其他行業(yè)的基礎,隨著光刻技術達到物理極限,NVIDIA 推出 cuLitho 并與我們的合作伙伴 TSMC、ASML 和 Synopsys 合作,使晶圓廠能夠提高產量、減少碳足跡并為 2nm 及更高工藝奠定基礎。”

實際上,盡管OPC是個非常小眾的市場,但是正如光刻機一樣,可以影響到未來摩爾定律的演進。同時,計算光刻也是芯片設計和制造過程中的最大計算工作負載。黃仁勛表示,計算光刻每年消耗數(shù)百億CPU工作,這項投入占了芯片制造總投入的相當大的比重。


光刻與計算光刻

對于光刻其實不必花太多筆墨做介紹了。這是芯片制造過程中最重要的一個步驟,就像是用“光刀”在晶圓上“雕刻”一樣。“雕刻”當然是要“刻”出特定的圖案的。這個圖案首先要呈現(xiàn)在光掩膜(photomask)上。掩膜板就像是漏字板,激光一照,通過鏡頭,“漏字板”上的圖案也就落到了硅片上,如下圖。



晶體管、器件、互聯(lián)線路都需要經過這樣的光刻步驟。實操當然比這三兩句話的形容要復雜得多,比如現(xiàn)在的芯片上上下下那么多層,不同的層就需要不同的光刻和掩膜板;而且某些層如果器件間距很小,就可能需要多次光刻。

這里面還有個很反常識的事,就是在我們的認知里,比如要光刻上面這個圖案,幾個長方形——那么掩膜板要做成圖中左邊鏤空的樣子,則光源照射以后,落在硅片上就變成了圖中右側的樣子。但實際情況卻并不是這樣的。光掩膜其實要做成下面這樣:



這掩膜板復雜成這樣,是不是挺反直覺的?光一照,刻到晶圓上會變成下面這樣?英偉達先進技術副總裁Vivek Singh解釋說,半導體發(fā)展的過去幾十年,晶體管和互聯(lián)間距變得越來越小——原本一切發(fā)展都還算順利。但“大概30年前,晶體管的尺寸變得比(光刻機所用的)激光波長還要小,于是衍射效應就產生了,晶體管成像就會變得模糊”。

對光學或者攝影有了解的同學,對衍射效應這個詞應該不會陌生。對于相機而言,當光圈小到某種程度以后,照片受到衍射效應的影響就會顯著增大,導致畫面解析力的大幅下降;實際上,超高像素(或小像素)也受制于衍射效應。這一點體現(xiàn)在比相機精密很多的光刻機上,也是類似的。Vivek就把光刻機稱作是“fancy camera”。

當然,我們知道光刻機所用光源也有過幾次大的迭代,到現(xiàn)在談論最多的就是DUV和EUV。尤其EUV極紫外光刻是波長顯著變小的一代光源了。不過即便是昂貴的EUV,其波長與器件間距之間的差異,也變得比過去更小。換句話說,光刻圖案未來將一步步走向模糊——或者說沒有很高的保真度。

這就是計算光刻切入的契機——至少藉由計算光刻要緩解這方面的像差,對于芯片制造產生的不良影響。

此前我們探訪ASML中國,就聽ASML聊起過計算光刻。計算光刻是ASML的“鐵三角”業(yè)務之一。ASML告訴我們,計算光刻是通過軟件,對整個光刻過程來做建模和仿真,對工藝流程做優(yōu)化;比如說形貌優(yōu)化、掩膜板修正等。舉個例子,比如ASML有個“自由形狀照明(freeform illumination)”,就是通過改變照明形態(tài)來提高成像的解析力。



這就是上面那張圖,光掩膜看起來如此奇怪的原因。即為消除光刻過程中,小尺寸器件“模糊”的問題,就需要對光路上的組成部分做修改。這就好像:在要求得到某個結果(這一例也就是幾個長方形的圖案)時,算出光源、光掩膜需要做哪些調整。這個過程就是計算光刻。


問題來了,計算光刻越來越難

但是現(xiàn)在問題來了,據(jù)NVIDIA先進技術集團副總裁Vivek K Singh的說法:“我在1993年加入光刻工作時,如果你想在晶圓上印一個十字,你只需要在掩模上印一個十字就行。但是很快情況就變了,光的擴散會影響分辨率,導致模糊或失真 ,這意味著可能會遺漏芯片的重要元素。如下圖所示,一些可愛的狗耳朵和雙髻鯊開始出現(xiàn)在掩膜上,以此來彌補光學衍射。但這還遠遠不夠,我們不得不采用完全成熟的基于光學接近校正(OPC)的模型,后來又開始通過基于規(guī)則的輔助功能來增強它。從最簡單的一些粉飾到逐漸扭曲的掩膜,最終的結果還是要在晶圓上印下那個十字,只不過是在很小的晶圓尺寸上。”



由此可以看出,當芯片的關鍵尺寸小于光源波長的時候,所需要的掩模版越來越復雜。幾十年來,為芯片在制造過程中制作掩膜一直是半導體制造中的關鍵環(huán)節(jié)。

尤其是芯片逐漸來到3nm及以下,不僅需要更加精準的光刻計算,光刻計算所需的時間也越來越長。計算光刻是涉及電磁物理、光化學、計算幾何、迭代優(yōu)化和分布式計算的復雜計算,沒有更強大的計算光刻很難實現(xiàn)這樣復雜的掩模版設計。

像臺積電這樣的代工廠需要有大量的數(shù)據(jù)中心來處理相關計算和仿真運行,代工廠的數(shù)據(jù)中心通常是以CPU為核心。下圖是Vivek Singh估算的每年CPU工作的小時數(shù),左側y軸顯示了隨著工藝節(jié)點不斷微縮,光學鄰近修正(OPC)在2nm、1nm差不多需要CPU來計算幾百萬小時。右側Y軸上是不同工藝節(jié)點所用的數(shù)據(jù)中心的數(shù)量,5nm節(jié)點差不多需要3個大的數(shù)據(jù)中心,每個數(shù)據(jù)中心需要處理10個掩膜。3nm節(jié)點的時候需要6個數(shù)據(jù)中心,如果繼續(xù)這樣下去,到1nm則很有可能需要100個數(shù)據(jù)中心。“你不能一直增加數(shù)據(jù)中心,有些東西必須舍棄,洛杉磯已經開始下雪了。”Vivek Singh如是說道。再者,現(xiàn)在的計算能力在未來很可能不夠。

所以,在半導體制造中的超大型工作負載所需的計算時間成本,已經使得摩爾定律不再具有經濟性。計算光刻這一步驟也成為將新的納米技術節(jié)點和計算機架構推向市場的瓶頸。

2020年臺積電在一次會議上提到,采用GPU可以將反向光刻(ILT)仿真時間減少10倍以上。ppt的最后臺積電提了一個很重要的問題,GPU庫可以用于多邊形操作嗎?


英偉達改變了游戲規(guī)則

今天英偉達證明了,可以。為什么GPU可以用于計算光刻,因為計算光刻技術中至少一半的OPC和ILT是由前成像組成的,而且它幾乎完全是由卷積運算組成的,這些正是GPU擅長的。

在近日的GTC大會上,英偉達在GPU之上構建了cuLitho計算光刻技術軟件庫,這是英偉達四年秘密研發(fā)的成果。在cuLitho計算光刻軟件庫中有多項技術,如下圖所示,cuDOP用于衍射光學,cuCompGeo用于計算幾何,cuOASIS用于優(yōu)化,cuHierarchy用于AI。

cuLitho已被EDA工具廠商新思采用,cuLitho已集成到新思科技Proteus全芯片掩模合成解決方案和Proteus ILT逆光刻技術。一般情況下,晶圓廠在改變工藝時需要修改OPC,因此會遇到瓶頸。cuLitho不僅可以幫助突破這些瓶頸,還可以提供曲線式光掩模、High-NA EUV光刻、亞原子光刻膠建模等新技術節(jié)點所需的新型解決方案和創(chuàng)新技術。

cuLitho的核心是一組并行算法,由英偉達科學家發(fā)明,計算光刻工藝的所有部分都可以并行運行,原來需要4萬個CPU系統(tǒng)才能完成的工作,現(xiàn)在僅需用500個NVIDIA DGX H100系統(tǒng)即可完成,這不僅大大加速了目前每年消耗數(shù)百億CPU小時的大規(guī)模計算工作負載,而且降低了耗電和對環(huán)境的影響。

cuLitho在組件級別上平均加速了一次連續(xù)的CPU操作,基于Ampere組件上提升了138倍,在Hopper結構上提高了254倍。在端到端的OPC項目中,結合Ampere提升了23倍,在Hopper上提升了42倍。

使用cuLitho的晶圓廠每天的光掩模產量可增加3-5倍,而耗電量可以比當前配置降低9倍。英偉達表示,基于GPU的cuLitho計算光刻技術,其性能比當前光刻技術工藝提高了40倍,原本需要兩周時間才能完成的光掩模現(xiàn)在可以在一夜之間完成。例如英偉達H100 GPU需要89塊掩膜板,在CPU上運行時,處理單個掩膜板需要兩周時間,而在GPU上運行cuLitho只需8小時。

從長遠來看,cuLitho將帶來更好的設計規(guī)則、更高的密度和產量以及AI驅動的光刻技術,使晶圓廠能夠提高產量、減少碳足跡并為2納米及更高工藝奠定基礎。

cuLitho計算光刻技術軟件庫,目前已得到了臺積電、ASML的合作。cuLitho將于6月在臺積電開始使用,臺積電用其來部署反演光刻技術、深度學習等;ASML計劃在所有計算光刻軟件產品中加入對GPU的支持,cuLitho的優(yōu)勢在High-NA EUV光刻時代將變得尤為明顯;EDA工具供應商Synopsys OPC軟件將在cuLitho平臺上運行。

下圖是一個chromeless face shift掩膜,如果把它放進ASML最新的光刻機中,會出來怎樣一個圖案呢?


答案是,NVIDIA cuLitho。

目前的cuLitho計算光刻技術還只是一個于麥克斯韋方程組的數(shù)學工具,但英偉達表示,基于人工智能的計算光刻技術“正在開發(fā)中”。想象一些如果AI技術引入計算光刻又將如何?


寫在最后

沒有計算光刻技術的支撐,芯片制造商就不可能制造出最新的技術節(jié)點。cuLitho計算光刻庫軟件的發(fā)布,不僅為芯片的繼續(xù)演進提供了一項革新技術,也再次發(fā)揮了GPU的潛力——從最初的圖形處理到AI芯片、再到數(shù)據(jù)中心、乃至芯片的未來,老黃贏麻了。

借用《軟硬件融合》圖書和公眾號作者,上海矩向科技創(chuàng)始人兼CEO黃朝波對該發(fā)布的點評:“老黃是非常成功的,但其實本質上老黃就只做了一件事情(并行計算)和兩個方面(GPU是并行計算平臺,CUDA是為了更好的并行計算編程)。”

每次當芯片演變出現(xiàn)瓶頸,總會有新技術出現(xiàn),例如FinFET晶體管技術的發(fā)明給摩爾定律續(xù)命了十幾年。現(xiàn)在,為了讓芯片繼續(xù)微縮下去,各種新材料、新架構、新封裝、新互聯(lián)等技術層出不窮。



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