日前據臺媒報道，臺積電在面對技術節點進一步微縮至1.4納米（A14）及1納米（A10）面臨新制造瓶頸，并決定放棄采購單價高達4億美元的ASML高數值孔徑（High-NA）EUV光刻機。

理論上，采購荷蘭ASML公司尖端的High-NA EUV光刻機是解決這一技術難題的直接方案。然而，最新報道指出，臺積電并未選擇這一路徑，而是決定采用“光掩模護膜”技術作為替代方案，以推進其2納米等先進制程的研發與生產。

臺積電的這一決策主要基于成本考量。一臺High-NA EUV光刻機的售價高達4億美元，對于公司而言是一筆巨大的資本開支。臺積電認為，該設備目前帶來的價值與其高昂的價格并不匹配。因此，公司選擇了一條成本更低的路徑，即在現有標準EUV光刻機上，通過引入光掩模護膜，保護光掩模在光刻過程中免受灰塵等微粒污染，從而實現更精密的芯片制造。

盡管光掩模護膜方案能夠規避巨額的設備采購費用，但它也帶來了新的技術挑戰。使用標準EUV光刻機生產1.4納米和1納米級別的芯片，需要進行更多次曝光才能達到所需精度。這意味著光掩模的使用頻率會大幅增加，不僅拖慢生產節奏，還可能對芯片良率構成潛在風險。臺積電需要通過大量的“試錯”來優化生產的可靠性，這無疑是一場技術上的攻堅戰。

此外，臺積電拒絕采購High-NA EUV光刻機的另一個原因可能在于其產能的限制。據了解，ASML每年僅能生產五到六臺此類設備。對于需要采購多達30臺標準EUV光刻機以滿足蘋果等大客戶龐大需求的臺積電而言，將巨額資金投入到少數幾臺設備上，并不符合其長期產能規劃。